什么是内存时序 内存时序的四大参数
内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的spd中。内存时序和我们的内存频率一样，同样代表了一款内存性能的高低。一般数字“a-b-c-d”分别对应的参数是“cl-trcd-trp-tras”。
主要内存的四个主要时序参数：
cl ： cas latency control “内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，同频率下，cl值越小内存条性能越好，从ddr1-4 cl值越来越大，相反说明cl越大，能上去的频率越高。
trcd ： ras to cas delay“行寻址到列寻址延迟时间”，trcd值对内存最大频率影响最大。
trp ： row precharge timing“内存行地址控制器预充电时间”
tras ： min ras active timing“内存行有效至预充电的最短周期”，对某行的数据进行存储时，从操作开始到寻址结束需要的总时间周期。
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