P沟MOS晶体管
p沟mos晶体管
p沟mos晶体管
金属氧化物半导体场效应(mos)晶体管可分为n沟道与p沟道两大类， p沟道硅mos场效应晶体管在n型硅衬底上有两个p+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的n型硅表面呈现p型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种mos场效应晶体管称为p沟道增强型场效应晶体管。如果n型硅衬底表面不加栅压就已存在p型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的mos场效应晶体管称为p沟道耗尽型场效应晶体管。统称为pmos晶体管。
p沟道mos晶体管的空穴迁移率低,因而在mos晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，pmos晶体管的跨导小于n沟道mos晶体管。此外，p沟道mos晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。pmos因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在nmos电路(见n沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为nmos电路所取代。只是,因pmos电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用pmos电路技术。
pmos集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。pmos集成电路采用-24v电压供电。如图5所示的cmos-pmos接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般cmos的电源电压选择在10～12v就能满足pmos对输入电平的要求。
mos场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。
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