结型场效应管的结构及工作原理
一、场效应管分类
1.两类电场效应
场效应管：场效应晶体管
①pn结耗尽层宽度随反向电压变化的场效应
在pn结施加反向电压，耗尽层会逐渐变宽，通过改变耗尽层宽度来对导电通道进行控制。
②电容正负电荷吸引力构建导电通道的场效应
当在电容左基板上施加正电荷，p型半导体的自由电子会向左侧运动，随着左侧基板电压增大，自由电子会在p型半导体左侧汇集，当电压增加到一定程度，p型半导体左侧区域会形成反型层(p型半导体的多子时空穴，而这里自由电子较多，所以称为反型层)
2.场效应管分类
①结型场效应管
通过改变pn结耗尽层宽度随反向电压变化的场效应管
②增强型mos管
通过电容正负电荷吸引力构建导电通道的场效应管
栅-源不加电压时，漏-源不存在导电沟道
③耗尽型mos管
通过电容正负电荷吸引力构建导电通道的场效应管
栅-源不加电压时，漏-源存在导电沟道
二、结型场效应管结构
1.n沟道结型场效应管结构
①在同一块n型半导体上，制作两个高掺杂的p区，并连在一起，所引出的电极称为栅极s
②n型半导体的两端分别引出两个电极，一个称为漏极d，一个称为源极s
③p区与n区的交界面形成耗尽层(不导电)
④漏-源之间的非耗尽层区域称为导电沟道(导电)
2.晶体管与场效应管的区别
晶体管：电流要经过p区和n区，穿过pn结
场效应管：电流只流过n区，不穿过pn结
3.结型场效应管分类
通过箭头指向判断时哪种结型场效应管
箭头指向的为n沟道结型场效应管
三、结型场效应管工作原理
1.ugs对导电沟道的控制(uds=0)
①当ugs=0时
耗尽层窄，导电沟道宽
②当ugs＞0时
pn结正偏，耗尽层变窄， 导电沟道变宽(但是影响小，因为本就导电沟道就很宽)
（3）ugs（关闭）
pn结反偏，耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大
（4）ugs=ugs（关闭）ugs（off）
ugd>ugs（关闭）
当ugd＝ugs(off)时，称为预夹断
2.漏-源电压uds对漏极电流id的影响
（1）ugs>ugs（off），uds=0
因为ugd=ugs-uds
ugd=ugs
但是因为uds=0，所以id=0
②ugs＞ugs(off),uds逐渐增大
因为ugd=ugs-uds
ugd＜ugs
所以漏极导电沟道会变窄，
ugs不变，沟道电阻不变
（3）ugs>ugs（off），uds=ugs-ugs（off）
因为ugd=ugs-uds
ugd=ugs（off）
漏极导电沟道开始出现夹断
（4）ugs>ugs（关闭），uds>ugs-ugs（关闭）
因为ugd=ugs-uds
ugd＜ugs(off)
漏极的夹断区逐渐加长
⑤总结
uds增大，d-s电场增大，id增大；
uds增大，夹断区边长，d-s电阻便把，id减小；
漏极电流id仅仅取决于ugs，而与uds无关，表现出恒流特性
3.总结
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②电容正负电荷吸引力构建导电通道的场效应
当在电容左基板上施加正电荷，p型半导体的自由电子会向左侧运动，随着左侧基板电压增大，自由电子会在p型半导体左侧汇集，当电压增加到一定程度，p型半导体左侧区域会形成反型层(p型半导体的多子时空穴，而这里自由电子较多，所以称为反型层)
2.场效应管分类
①结型场效应管
通过改变pn结耗尽层宽度随反向电压变化的场效应管
②增强型mos管
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1.n沟道结型场效应管结构
①在同一块n型半导体上，制作两个高掺杂的p区，并连在一起，所引出的电极称为栅极s
②n型半导体的两端分别引出两个电极，一个称为漏极d，一个称为源极s
③p区与n区的交界面形成耗尽层(不导电)
④漏-源之间的非耗尽层区域称为导电沟道(导电)
2.晶体管与场效应管的区别
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3.结型场效应管分类
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三、结型场效应管工作原理
1.ugs对导电沟道的控制(uds=0)
①当ugs=0时
耗尽层窄，导电沟道宽
②当ugs＞0时
pn结正偏，耗尽层变窄， 导电沟道变宽(但是影响小，因为本就导电沟道就很宽)
（3）ugs（关闭）
pn结反偏，耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大
（4）ugs=ugs（关闭）ugs（off）
ugd>ugs（关闭）
当ugd＝ugs(off)时，称为预夹断
2.漏-源电压uds对漏极电流id的影响
（1）ugs>ugs（off），uds=0
因为ugd=ugs-uds
ugd=ugs
但是因为uds=0，所以id=0
②ugs＞ugs(off),uds逐渐增大
因为ugd=ugs-uds
ugd＜ugs
所以漏极导电沟道会变窄，
ugs不变，沟道电阻不变
（3）ugs>ugs（off），uds=ugs-ugs（off）
因为ugd=ugs-uds
ugd=ugs（off）
漏极导电沟道开始出现夹断
（4）ugs>ugs（关闭），uds>ugs-ugs（关闭）
因为ugd=ugs-uds
ugd＜ugs(off)
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