Micro LED技术获新突破 成功实现高色稳定的全彩Micro LED阵列
micro led被视为取代tft-lcd及oled display的次世代显示器技术。建立在led高效能的基础上，理想的micro led显示器具有高像素、高对比、自发光、低能耗及寿命长等各种优势，备受看好。
然而，当前的micro led仍面临许多困难需要克服，其中最困扰研究人员与制造商的便是巨量转移制程（mass transfer process），如何将红、蓝、绿三种颜色的led芯片快速且精确地接合至面板的驱动电路上，以及克服芯片材料特性不同的挑战，特别是红光micro-led还有易碎等问题，因此巨量转移技术至今仍没有能达到量产的解决方案被提出。
台湾交通大学的郭浩中教授等人，与美国新创公司saphlux、耶鲁大学、厦门大学的研究人员合作，采用半极化（semipolar）的micro led结合量子点荧光粉光阻（quantum dot photoresist）的技术，制作出高色稳定的全彩micro led阵列，相关研究成果已被photonics research期刊接受，并即将发表。
图片来源： chen et al. 2020
研究团队主持人郭浩中表示，为了减少巨量转移的次数，该团队长期专注在量子点荧光粉色转换技术的应用，只需要一种颜色的led芯片（蓝光或近紫外光）搭配不同颜色的量子点荧光粉，即可实现全彩的功能，且量子点荧光粉的演色性相当突出。
郭浩中也提到，除了巨量转移制程的挑战，led芯片本身也面临不少问题。譬如蓝绿光led芯片会随着操作电流改变，产生发光颜色变化的现象，意味着显示器为了配合环境光源改变亮度时，就有可能产生颜色变化，不利于显示器的使用，因此必须解决led芯片色偏移的问题。
该团队采用半极化磊晶技术制作led芯片，藉由半极化材料的特性，大幅减少led光源本身的发光波长偏移（wavelength-shift）现象，进而克服色偏移的问题；在这个研究中的第二个突破就是采用量子点荧光粉光阻技术，该技术透过特殊的方法，将量子点荧光粉与光阻液混合，搭配传统的微影制程，达到大面积制作彩色像素需求，取代分别转移红、蓝、绿的led芯片的方法，大幅降低转移制程的困难度。
最后，结合上述两种技术，研究团队成功实现了高色稳定的全彩micro led阵列，同时具有大面积制造的可能性，为micro led显示器技术的发展注入一股新血。（ledinside编译）
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