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四种半导体器件基本结构
四种半导体器件基本结构按施敏教授的观点,半导体器件有四个最基本的结构单元:金半接触、pn结、异质结、mos结构。所有的半导体器件都可以看作是这四种基本结构的组合,比如bjt由两个背靠背的pn结构成,mosfet由mos结构和两对pn结构成。
金半接触由金属和半导体接触而成,根据接触势垒不同,可以分为整流特性的肖特基接触和非整流特性的欧姆接触。
pn结由p型半导体和n型半导体接触而成,具有单向导电的整流特性。
异质结由两种不同的半导体接触而成,根据其禁带宽度和掺杂浓度的不同组合,组合结构比较多,此处暂不赘述。两种半导体的晶格常数必须尽可能匹配,否则缺陷会比较严重。
mos结构由金属(也可以由导电的重掺杂半导体替代)-氧化物(也可由其他绝缘体替代)-半导体界面组成,在金属和半导体两端加上偏压,可以改变半导体中的电荷分布从而影响半导体一侧的导电性能。
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