英飞凌推出业界首款面向航天级FPGA的符合QML-V标准的抗辐射NOR闪存

航天级可编程逻辑器件(fpga)需要包含其引导配置的可靠的高容量非易失性存储器。为满足对高可靠性存储器日益增长的需求,英飞凌科技股份公司(fse: ifx / otcqx: ifnny)旗下的infineon technologies llc近日宣布推出业界首款高容量抗辐射(radtol)nor闪存产品,该产品通过了mil-prf-38535 qml-v流程认证。qml-v流程是航天级ic的最高质量和可靠性标准认证。
英飞凌的256 mb和512 mb radtol nor flash非易失性存储器可带来出色的低引脚数单芯片解决方案,适用于fpga配置、图像存储、微控制器数据和引导代码存储等应用场合。在更高时钟速率下使用时,器件支持的数据传输可媲美或超越传统的并行异步nor闪存,同时显著减少引脚数。这款器件的抗辐射性能高达30 krad(si)偏置和125 krad(si)无偏置。在125°c时,这款器件耐久性达到1000次编程/擦除周期,数据保留期限为30年,在85°c时可达到1万次编程/擦除周期,数据保留期限为250年。
作为航天级存储器产品的领导者,英飞凌利用65 nm浮栅闪存工艺技术开发出radtol 256 mb quad spi(qspi)和512 mb dual quad spi nor flash。二者都具有133 mhz sdr接口速度。512 mb器件包括两个独立的256 mb裸片,它们采用单个封装解决方案并排装配。这样,设计人员可以灵活地在任一裸片上以双qspi或单qspi模式独立运行器件,从而为其提供使用第二个裸片作为备份解决方案的选项。英飞凌正与赛灵思等领先的fpga生态系统公司就航天级应用展开密切合作。
infineon technologies llc航空航天与国防业务副总裁helmut puchner表示:“我们的抗辐射双qspi非易失性存储器获得最新航天级fpga的全面支持。它们可以带来出色的低引脚数单芯片解决方案来配置处理器和fpga。譬如,xilinx kintex® ultrascale™ xqrku060的整个图像可以在dual quad模式下在大约 0.2 秒内加载。”
供货情况
radtol nor闪存器件采用24x12 mm2 36引脚陶瓷扁平封装, 可通过fpga或通过独立编程器进行编程。这款器件支持-55°c至125°c的温度等级,seu率 《 1 x 10-16次翻转/位-天,sel 》 60 mev.cm2/mg(85°c),sefi 》 60 mev.cm2/mg(let),seu阈值》 28 mev.cm2/mg(let)。

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