瑞森半导体超小内阻20mΩ和TO-220F封装70mΩ的超结MOS新品上市
瑞森半导体进一步壮大和完善超结（sj）mosfet系列，推出600v超结功率mosfet---rsf60r070f、rsf60r026w型号。2枚新品各自具备核心优势，为国内少有产品型号 ，技术领航市场。
市场上70mω的超结（sj）mosfet产品，芯片面积超出to-220f载芯面积，常规均采用to-247封装，瑞森半导体新产品rsf60r070f采用专有的晶胞结构和特殊工艺流程，进一步优化产品设计，在rdson不变的情况下，有效减小芯片面积，满足to-220f/to-263等封装外形，从而大幅减少器件在pcb线路板上占用的空间（to-220f与to-247封装外形相比，整体尺寸节约50%），助力小型化产品的应用。
rsf60r070f实测耐压为600v，导通电阻仅为58mω，使得mos管在导通状态下实现更小的功率损耗和更高的效率，同时成本也随之下降，为客户提供低成本设计方案。该款产品主要适用于电源、电机控制、逆变器和其它高压开关应用等。
产品优势：
❐常规产品封装为to-247，而rsf60r070f为to-220f封装，做到大电流小封装；
❐有效减小芯片面积，大幅减少器件在pcb线路板上占用的空间；
❐内置frd，适应llc线路，并适合多管应用；
❐具有更快的开关速度，更低的导通损耗；
❐极低的栅极电荷（qg），大大提高系统效率；
❐优异的emi性能
瑞森半导体具备超小内阻的新品rsf60r026w，目前市场上硅基超结mos最小内阻为30mω左右。瑞森半导体基于丰富的超结mos开发经验，开发出实测耐压为600v，导通电阻典型值20mω的超结（sj）mosfet，导通电阻减少了33% ，提高了开关性能，进一步降低功率损耗，可以极大提升整机电源的转换效率。rsf60r026w适用于连续导通模式功率因数校正(pfc)、双管正激、llc和太阳能升压等拓扑线路，典型应用于太阳能、服务器、电信设备和ups(不间断电源)等。
产品优势：
❐实现超小内阻,能做到rds(on)典型值20mω
❐导通电阻减少了33% ，降低功率损耗，进一步提高效率；
❐内置frd，适应llc线路，并适合多管应用；
❐100%雪崩测试；
❐低栅极电荷、低导通电阻；
❐优异的emi性能
瑞森半导体在超结（sj）mosfet系列上持续投入研发，现有产品包括内置esd系列(rse****)、内置frd系列(rsf****)，耐压涵盖 600v 、650v、700v、800v 等，导通电阻从20mω到1000mω，全系列均具有出色的导通电阻特性，可提高效率和易用性，同时显著降低开关和传导损耗。性能对标国际品牌，助力国产化，已在市场具备知名度和美誉度。瑞森半导体将持续升级超结（sj）mosfet系列，满足不同客户的应用需求。
瑞森半导体将继续开发导通电阻更低、功能更完善的产品，降低功率损耗，满足各种应用场景，助力客户提升整机电源转换效率。瑞森半导体600v超结（sj）mosfet---rsf60r070f型号和rsf60r026w型号已上市，诚邀全球客户咨询。
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rsf60r070f实测耐压为600v，导通电阻仅为58mω，使得mos管在导通状态下实现更小的功率损耗和更高的效率，同时成本也随之下降，为客户提供低成本设计方案。该款产品主要适用于电源、电机控制、逆变器和其它高压开关应用等。
产品优势：
❐常规产品封装为to-247，而rsf60r070f为to-220f封装，做到大电流小封装；
❐有效减小芯片面积，大幅减少器件在pcb线路板上占用的空间；
❐内置frd，适应llc线路，并适合多管应用；
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瑞森半导体具备超小内阻的新品rsf60r026w，目前市场上硅基超结mos最小内阻为30mω左右。瑞森半导体基于丰富的超结mos开发经验，开发出实测耐压为600v，导通电阻典型值20mω的超结（sj）mosfet，导通电阻减少了33% ，提高了开关性能，进一步降低功率损耗，可以极大提升整机电源的转换效率。rsf60r026w适用于连续导通模式功率因数校正(pfc)、双管正激、llc和太阳能升压等拓扑线路，典型应用于太阳能、服务器、电信设备和ups(不间断电源)等。
产品优势：
❐实现超小内阻,能做到rds(on)典型值20mω
❐导通电阻减少了33% ，降低功率损耗，进一步提高效率；
❐内置frd，适应llc线路，并适合多管应用；
❐100%雪崩测试；
❐低栅极电荷、低导通电阻；
❐优异的emi性能
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