铠侠在闪存市场的底气
从去年下半年以来，因为智能手机和pc的不景气，存储市场遭受了暴击，包括铠侠在内的全球领先的存储供应商也都相应下调了产能，以应对这波下行周期带来的不确定性。
然而，据铠侠cto柳茂知在早前举办的中国闪存市场峰会（cfms）的相关采访中介绍，存储市场有望在今年下半年复苏。铠侠电子（中国）有限公司董事长兼总裁岡本成之更是在峰会的演讲中直言：“虽然目前存储市场面临很严重的挑战，但是我们对中国市场的长期发展充满信心，我们铠侠为中国市场的发展继续贡献力量。”
为了抓住这波机遇，铠侠已经做好了充分的准备。
夯实的技术基础
众所周知，铠侠公司发明了nand flash。公司凭借其领先的三维（3d）垂直闪存单元结构bics flash，让公司闪存的密度在市场中名列前茅。与此同时，铠侠还是第一个设想并准备将slc技术成功迁移到mlc、再从mlc迁移到tlc、现在又从tlc迁移到qlc的行业参与者。
这让公司拥有足够的实力打造高容量、低成本存储解决方案的应用。
铠侠qlc技术实现单一封装的最高容量闪存
日前，公司更是与西部数据联合宣布，成功推出了业界最高位密度的第八代bics flash——218层的3d闪存。
铠侠方面表示，通过引入各种独特的工艺与架构，公司了实现存储颗粒持续的横向微缩，同时还降低了成本。这种垂直与横向微缩之间的平衡在更小的芯片中也产生了更大的容量，在优化成本的同时减少了层数。
“两家公司还开发了突破性的cba(cmos直接键合到阵列)技术，其中cmos晶圆和存储单元阵列晶圆在优化状态下单独制造，然后键合在一起，以提供更高的千兆字节(gb)密度和快速nand i/o速度。”铠侠方面强调。
按照铠侠所说，公司新推出的218层3d闪存采用的创新横向微缩技术为4平面(plane)的1tb三层存储单元(tlc)和四层存储单元(qlc)带来超过50%的位密度提升。其高速nand i/o速度超过3.2gb/s，比上一代产品提高了60%，同时在写入性能和读延迟方面的改善超过了20%，将加速用户的整体性能、可用性。
熟悉存储产业的读者应该知道，现在为了持续增加存储的密度，几大存储芯片供应商除了在“方寸”的空间上搭高楼，芯片的密度也是大家关注的交代。如是，对于存储技术未来如何发展，不同的厂商有着不同的观点。
针对这个问题，柳茂知先生回应道：“我们对存储产品有着高容量、低成本和高性能这三个方面的需求，而为了达到这个目的，我们不但要继续提高3d memory的层数以外，缩小‘洞’之间的间距。与此同时，缩小die面积也是我们发力的方向之一。”
柳茂之先生进一步指出，从目前的技术现状看来，3d nand flash继续增加层数是可行的，扩展到500层也是能实现的。随着层数的增加，单位存储的成本也会相应降低。但对500层以后的技术和成本走势，柳茂之表示目前很难预估。
但可以肯定的是，基于这些领先的底层技术，铠侠已经打造了一系列备受好评的ssd产品。
广泛的产品布局
作为在闪存和固态硬盘（ssd）领域引领技术潮流的品牌，铠侠一直为移动计算、云端、边缘、数据中心和车载等领域提供高性能产品和服务，产品线包含nand闪存、emmc/ufs、ssd以及与ssd配套的软件解决方案，并占据了世界闪存产能的大约30%。
在本次cfms大会上，铠侠更是推出了极具前瞻意义的全新产品——第二代 xl-flash。
据介绍，xl-flash存储级内存（scm）是一种介于内存（dram）与固态硬盘（ssd）之间的非易失性存储，能够帮助数据中心、服务器实现高吞吐量、低延迟和高可靠性的存储性能。早在2021年，铠侠就发布了相关产品fl6系列scm固态硬盘。而新一代的xl-flash是一款具备。
而在这一代的全新产品上，铠侠则首次采用了mlc技术，能够帮助scm级存储进一步降低成本。不仅如此，下一代scm产品顺序读取速度将提升118%，顺序速度写入提升56%，随机读写速度更是分别提升100%和165%，读取响应时间则进一步缩短7%。
针对现在越来越火爆的云端应用，铠侠也推出了面向云端应用的数据中心级固态硬盘。并且在现场展示了铠侠cd8系列，它能够在成本和性能之间取得平衡，立足于pcie 4.0和nvme1.4规范，最高提供了7200mb/s读取速度和1250k iops随机读取速度，还提供了混合写入密集型（3dwpd耐久度、最高12.8tb容量）和读取密集型（1dwpd耐久度和15.36tb）两个版本。为了保证数据的安全性，铠侠cd8还具备即时擦除（sie）、自加密驱动器（sed）以及断电保护（plp）等多种安全技术。
“采用pcie 5.0技术设计版本的cd8也将性能向上提升了一步。相比第一代pcie 5.0产品，cd8能带来14%以上的提升，并符合ocp datacenter nvme ssd 2.0 和 nvme 1.4规格。”铠侠方面强调。
紧接着，cd8系列的性能提升型产品也蓄势待发，它同样采用pcie 5.0技术设计，支持pcie 5.0和nvme 2.0，顺序读取和随机读取性能将更进一步提升。新产品将同时提供2.5英寸和edsff e3.s可选，容量可达15.36tb，具备断电保护（plp）和端对端数据校正等功能，以满足丰富的应用场景。
针对人工智能领域的需求，铠侠推出了采用双端口24gb/s sas的铠侠pm7系列。它的单盘容量可达30.72tb，随机读写表现都非常优秀。双端口sas设计能够有效防止主机端单点故障，构建更加可靠的系统，能够满足人工智能应用的更多需求。
铠侠还带来了更多针对特定应用场景的解决方案，比如支持双端口nvme技术设备的cm7，它提供了2.5英寸和e3.s规范，最大容量可达30.72tb，可以满足tier 0计算；还有针对开放计算项目（ocp）设计的xd7p系列，能够提供tcg opal ssc sed安全选项；而bg5、xg8系列则可以为消费端产品提供轻薄的外形和强大的性能。
“如何降低存储成本同样是铠侠关注的重点，通过研发团队的不断努力，我们下一代qlc ssd的顺序读取性能将与tlc ssd相当，并且随机读取性能更可达tlc ssd的75%。目前qlc ssd已经具备了推向企业级市场的条件，适合注重读取的应用场景。”铠侠强调。
面向未来的服务器需求，提供更多算力，铠侠也积极与合作伙伴共同推进cxl+flash应用方案落地，让服务器拥有更高效的数据存储性能。
总而言之，如铠侠所说，公司的宗旨是将凭借行业领先的存储技术和产能，继续引领行业发展潮流，不断赋能人工智能、云计算、智能汽车等新经济增长点，和行业伙伴一起构建存储以及科技更加美好的未来。
GSM900/GSM1800双频无线网络参数及其调整
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高信噪比微型无线对讲机
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铠侠在闪存市场的底气
外媒测试结果显示大多数人无法分辨出90Hz和60Hz刷新率屏幕的区别
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然而，据铠侠cto柳茂知在早前举办的中国闪存市场峰会（cfms）的相关采访中介绍，存储市场有望在今年下半年复苏。铠侠电子（中国）有限公司董事长兼总裁岡本成之更是在峰会的演讲中直言：“虽然目前存储市场面临很严重的挑战，但是我们对中国市场的长期发展充满信心，我们铠侠为中国市场的发展继续贡献力量。”
为了抓住这波机遇，铠侠已经做好了充分的准备。
夯实的技术基础
众所周知，铠侠公司发明了nand flash。公司凭借其领先的三维（3d）垂直闪存单元结构bics flash，让公司闪存的密度在市场中名列前茅。与此同时，铠侠还是第一个设想并准备将slc技术成功迁移到mlc、再从mlc迁移到tlc、现在又从tlc迁移到qlc的行业参与者。
这让公司拥有足够的实力打造高容量、低成本存储解决方案的应用。
铠侠qlc技术实现单一封装的最高容量闪存
日前，公司更是与西部数据联合宣布，成功推出了业界最高位密度的第八代bics flash——218层的3d闪存。
铠侠方面表示，通过引入各种独特的工艺与架构，公司了实现存储颗粒持续的横向微缩，同时还降低了成本。这种垂直与横向微缩之间的平衡在更小的芯片中也产生了更大的容量，在优化成本的同时减少了层数。
“两家公司还开发了突破性的cba(cmos直接键合到阵列)技术，其中cmos晶圆和存储单元阵列晶圆在优化状态下单独制造，然后键合在一起，以提供更高的千兆字节(gb)密度和快速nand i/o速度。”铠侠方面强调。
按照铠侠所说，公司新推出的218层3d闪存采用的创新横向微缩技术为4平面(plane)的1tb三层存储单元(tlc)和四层存储单元(qlc)带来超过50%的位密度提升。其高速nand i/o速度超过3.2gb/s，比上一代产品提高了60%，同时在写入性能和读延迟方面的改善超过了20%，将加速用户的整体性能、可用性。
熟悉存储产业的读者应该知道，现在为了持续增加存储的密度，几大存储芯片供应商除了在“方寸”的空间上搭高楼，芯片的密度也是大家关注的交代。如是，对于存储技术未来如何发展，不同的厂商有着不同的观点。
针对这个问题，柳茂知先生回应道：“我们对存储产品有着高容量、低成本和高性能这三个方面的需求，而为了达到这个目的，我们不但要继续提高3d memory的层数以外，缩小‘洞’之间的间距。与此同时，缩小die面积也是我们发力的方向之一。”
柳茂之先生进一步指出，从目前的技术现状看来，3d nand flash继续增加层数是可行的，扩展到500层也是能实现的。随着层数的增加，单位存储的成本也会相应降低。但对500层以后的技术和成本走势，柳茂之表示目前很难预估。
但可以肯定的是，基于这些领先的底层技术，铠侠已经打造了一系列备受好评的ssd产品。
广泛的产品布局
作为在闪存和固态硬盘（ssd）领域引领技术潮流的品牌，铠侠一直为移动计算、云端、边缘、数据中心和车载等领域提供高性能产品和服务，产品线包含nand闪存、emmc/ufs、ssd以及与ssd配套的软件解决方案，并占据了世界闪存产能的大约30%。
在本次cfms大会上，铠侠更是推出了极具前瞻意义的全新产品——第二代 xl-flash。
据介绍，xl-flash存储级内存（scm）是一种介于内存（dram）与固态硬盘（ssd）之间的非易失性存储，能够帮助数据中心、服务器实现高吞吐量、低延迟和高可靠性的存储性能。早在2021年，铠侠就发布了相关产品fl6系列scm固态硬盘。而新一代的xl-flash是一款具备。
而在这一代的全新产品上，铠侠则首次采用了mlc技术，能够帮助scm级存储进一步降低成本。不仅如此，下一代scm产品顺序读取速度将提升118%，顺序速度写入提升56%，随机读写速度更是分别提升100%和165%，读取响应时间则进一步缩短7%。
针对现在越来越火爆的云端应用，铠侠也推出了面向云端应用的数据中心级固态硬盘。并且在现场展示了铠侠cd8系列，它能够在成本和性能之间取得平衡，立足于pcie 4.0和nvme1.4规范，最高提供了7200mb/s读取速度和1250k iops随机读取速度，还提供了混合写入密集型（3dwpd耐久度、最高12.8tb容量）和读取密集型（1dwpd耐久度和15.36tb）两个版本。为了保证数据的安全性，铠侠cd8还具备即时擦除（sie）、自加密驱动器（sed）以及断电保护（plp）等多种安全技术。
“采用pcie 5.0技术设计版本的cd8也将性能向上提升了一步。相比第一代pcie 5.0产品，cd8能带来14%以上的提升，并符合ocp datacenter nvme ssd 2.0 和 nvme 1.4规格。”铠侠方面强调。
紧接着，cd8系列的性能提升型产品也蓄势待发，它同样采用pcie 5.0技术设计，支持pcie 5.0和nvme 2.0，顺序读取和随机读取性能将更进一步提升。新产品将同时提供2.5英寸和edsff e3.s可选，容量可达15.36tb，具备断电保护（plp）和端对端数据校正等功能，以满足丰富的应用场景。
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“如何降低存储成本同样是铠侠关注的重点，通过研发团队的不断努力，我们下一代qlc ssd的顺序读取性能将与tlc ssd相当，并且随机读取性能更可达tlc ssd的75%。目前qlc ssd已经具备了推向企业级市场的条件，适合注重读取的应用场景。”铠侠强调。
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GSM900/GSM1800双频无线网络参数及其调整
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