1. 钽电容的浪涌电压
钽电容的浪涌电压是指电容在很短的时间经过最小的串联电阻的电路33ohms(cecc 国家1kω)能承受的最高电压。浪涌电压,常温下一个小时时间内可达到高达10 倍额度电压并高达30 秒的时间。浪涌电压只作为参考参数,不能用作电路设计的依据,在正常运行过程中,电容应定期充电和放电。
不同温度下浪涌电压的值是不一样的,在85 度及以下温度时,分类电压vc 等于额定电压vr,浪涌电压vs 等于额度电压vr 的1.3 倍;在85 到125 度时,分类电压vc 等于额定电压vr 的0.66 倍,浪涌电压vs 等于分类电压vc 的1.3 倍。
avx 钽电容能承受的电压和电流浪涌能力是有限的,这是基于所有电解电容的共同属性,一个值够高的电应力会穿过电介质,从而破坏了介质。例如一个6 伏的钽电容在额定电压运行时,有一个167 千伏/毫米电压的电场。因此一定要确保整个电容器终端的电压的决不会超过规定的浪涌电压评级。作为钽电容负极板层使用的半导体二氧化锰有自愈能力。然而,这种低阻是有限的。在低阻抗电路的情况下,电容器可能被浪涌电流击穿。降压的电容,增加了元件的可靠性。avx 公司推荐降级表总结额定电压使用上常见的电压轨迹,低阻抗钽电容在电路进行快速充电或放电时,保护电阻建议为1ω/ v.如果达不到此要求应使用钽电容器降压系数高达70%.在这种情况下,可能需要更高的电压比作为一个单一的电容。 a 系列组合应被用来增加工作电压的等效电容器:例如,两个22μf25v 系列部分相当于一个11μf50v 的一部分。
2. 钽电容的反向电压
avx 钽电容的反向电压是有严格的限制的,具体如下:
在1.0v 25° c 条件下最大为10%的额定直流工作电压在0.5v 85° c 条件下最大为3%的额定直流工作电压在0.1v 125℃条件下最大为1%的额定直流工作电压反向电压值均以钽电容在任何时间上的最高电压值为准。这些限制是假设钽电容器偏振光在其大多数的正确方向工作寿命。他们的目的是涵盖短期逆转如发生在开关瞬态极性期间的一个印象深刻的波形的一小部分。连续施加反向电压会导致两极分化,将导致漏电流增大。
在在何种情况下连续反向应用电压可能会出现两个类似的电容应采用与负端接背回配置连接在一起。在大多数情况下这种组合将有一个标称电容的电容的一半无论是电容。在孤立的脉冲条件或在最初几个周期内,电容可能的方法完整的标称值。反向电压等级的设计盖小级别游览得天独厚的条件弄错极性。引用的值是不打算覆盖连续的反向操作。
3. 钽电容的叠加交流电压(vr.m.s.)------又称纹波电压
这是最大的r.m.s.交流电压;叠加一个特区电压,可应用到一个电容。在华盛顿的总和电压和峰值叠加a.c.电压不得超过该类别电压。
4. 钽电容的成型电压
这是在阳极氧化形成的电压。 “这个氧化层的厚度是形成电压成正比一个电容器,并在设置额定电压的一个因素。
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