NP2301BMR 20V p通道增强模式MOSFET
描述
np2301bmr采用了先进的沟槽技术
提供卓越的rds(on)
一般特征
，低栅极电荷和
工作电压低至1.8v。这个设备
适合用作负载开关或pwm
应用程序。
vds = -20 v, id
r
= -2.4
r
ds(上)(typ) = 86ω@vgs = -4.5 v
ds(上)(typ) = 110ω@vgs
高功率和电流处理能力
= -2.5 v
获得无铅产品
表面安装包
应用程序
pwm程序
负荷开关
包
sot-23-3l
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，ta=25℃)
电特性(除非另有说明，ta=25℃)
热特性
a.将设备安装在1in2fr -4板上，用2oz测量rθja的值。铜，在静止的空气环境中与
助教
b.功耗pd是根据t计算的
= 25°c。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。
j (max)
c.重复额定值，脉宽受结温t的限制
=150°c，使用≤10s的结环境热电阻。
j (max) = 150°c。额定值是基于低频率和职责
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容器附加存储 CAS 解析
缓解开关电源的低频和高频EMI的创新解决方案
基于HT8905的变声器电路分享
NP2301BMR 20V p通道增强模式MOSFET
热继电器的作用
网络处理单元的作用及如何实现通信系统的设计
苹果平板电脑屏幕的旋转方法
涡街流量计在化工行业中的应用案例
新科330型VCD机话筒声小的改造,Microphone modification
射频电调衰减器在射频电路中的作用
荣耀V40的高清渲染图以及设计草图曝光：矩阵相机、88°飞瀑屏
苹果自动驾驶车辆就被曝在公共路段进行测试
开发符合GDPR要求的物联网产品，你不知道我来告诉你
MATLAB课程之第一章 MATLAB基础知识v2(1)
采用可编程器件和多相滤波实现数字正交混频的设计方案
电梯里的智能镜面显示屏将构建一个非凡的广告世界
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r
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r
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= -2.5 v
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包
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助教
b.功耗pd是根据t计算的
= 25°c。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。
j (max)
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=150°c，使用≤10s的结环境热电阻。
j (max) = 150°c。额定值是基于低频率和职责
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