作者简介
作者:sureshthangavel
翻译:赵佳
与硅技术相比,sic mosfet在光伏和储能应用中具有明显的优势,它解决了能效与成本的迫切需求,特别是在需要双向功率转换的时候。
易于安装是大功率光伏组串式逆变器的关键特征之一。如果只需要两个工人来搬运和安装该系统,将会非常利于运维。因此,尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半导体使电力转换效率大幅提高。这不仅节省了能源,而且使设备更小、更轻,相关的资本、安装和维护成本更低。
关键的应用要求及其挑战。
在光伏和储能系统中,1500v的高系统电压要求宇宙辐射引起的故障率非常低,同时要求功率器件具有更高的系统效率。由于这些矛盾的要求,anpc多电平拓扑结构是目前首选的解决方案,因为其在整个功率因数运行范围内的效率最高(图1)。这样的逆变器完美适用于太阳能和电池存储应用。
图1:1500v光伏逆变器的两种最常见拓扑结构的比较
适应anpc拓扑结构的一种具有成本效益的方法是将英飞凌的1200v coolsic mosfet与trenchstop igbt7技术优化组合。图2显示了参考方案中的一个桥臂,其中t1、t4、t5和t6由硅基igbt和相应的硅续流二极管(fwd)组成。晶体管m2和m3由带有体二极管的coolsic mosfet组成。通过使用图2中的调制方案[1]和[2],igbt在工频50/60hz的情况下开关。因此,igbt被优化为具有较低的导通损耗。这样,开关损耗只发生在快速和高效的sic mosfet上。因此,sic器件的数量减少到最低限度,实现了最佳的成本-性能比。
图2:easy 3b功率模块中的anpc拓扑结构及其调制方案
与igbt逆变器方案相比,尺寸相当的sic mosfet模块也可以处理更多的功率。例如,一个工作频率为16khz的英飞凌950v easypack 3b igbt模块可以被两个较小的easypack 2b尺寸1200v coolsic模块取代,工作频率为32 khz。随着功率处理能力增加32%,达到139千伏安,这个解决方案的功率转换损失几乎降低了5%。这进一步将逆变器的效率提高了0.3%——这是一场真正的值得信赖的革命!
图3:在16khz下开关的950v easypack 3b igbt解决方案与在32khz下开关的easypack 2b coolsic mosfet解决方案的比较
参考设计证明了其优点。
为了证明在光伏组串和储能逆变器中使用sic mosfet的显著优势,英飞凌已经为额定功率高达300kw的1500 vdc系统开发了一个模块化参考设计。该设计采用了新颖的双向3电平anpc拓扑结构,在两个方向上的效率接近99%,开关频率高达96khz(交错并联结构)。对于包括散热器和所有控制在内的完整解决方案来说,功率密度大于5千瓦/公斤,在理想的80公斤最大机柜重量中,可输出300千瓦功率。
通过使用sic可以很容易地从整体效率的提高中计算出能源使用和成本节约;例如,与超级结si mosfet解决方案相比,1200v coolsic mosfet可以将ess安装中的损耗减半,并提供通常2%的额外能量和运行时间。对于类似的性能,sic mosfet的单位成本通常高于igbt。但在系统层面上,硬件成本会大大降低,因为更高的开关频率允许使用更小、更便宜的磁性元件和散热器。例如,在1500v的光伏组串逆变器中,每千瓦的成本可望至少节省5-10%(图4)。
图4:与igbt相比,使用sic mosfet的组串逆变器的系统成本明显降低
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