sram是什么，sram信息详解
sram不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而dram（dynamic random access memory）每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此sram具有较高的性能，功耗较小。
但是sram也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的dram内存可以设计为较小的体积，但是sram却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的dram，因此sram显得更贵。
sram规格 一种是置于cpu与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（cache memory）；另一种是插在卡槽上的coast（cache on a stick）扩充用的高速缓存，另外在cmos芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节sram，存储我们所设置的配置数据。
还有为了加速cpu内部数据的传送，自80486cpu起，在cpu的内部也设计有高速缓存，故在pentium cpu就有所谓的l1 cache（一级高速缓存）和l2cache（二级高速缓存）的名词，一般l1 cache是建在cpu的内部，l2 cache是设计在cpu的外部，但是pentium pro把l1和l2 cache同时设计在cpu的内部，故pentium pro的体积较大。
pentium ⅱ又把l2 cache移至cpu内核之外的黑盒子里。sram显然速度快，不需要刷新操作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。
sram基本特点 优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
缺点，集成度低，掉电不能保存数据，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
sram使用的系统：cpu与主存之间的高速缓存；cpu内部的l1/l2或外部的l2高速缓存；cpu外部扩充用的coast高速缓存；cmos 146818芯片（rt&cmos sram）。
sram工作原理 假设准备往图2的6t存储单元写入“1”，先将某一组地址值输入到行、列译码器中，选中特定的单元，然后使写使能信号we有效，将要写入的数据“1”通过写入电路变成“1”和“0”后分别加到选中单元的两条位线bl。
blb上，此时选中单元的wl=1，晶体管n0，n5打开，把bl，blb上的信号分别送到q，qb点，从而使q=1，qb=0，这样数据“1”就被锁存在晶体管p2，p3，n3，n4构成的锁存器中。
写入数据“0”的过程类似。sram的读过程以读“1”为例，通过译码器选中某列位线对bl，blb进行预充电到电源电压vdd，预充电结束后，再通过行译码器选中某行，则某一存储单元被选中，由于其中存放的是“1”，则wl=1、q=1、qb=0。
晶体管n4、n5导通，有电流经n4、n5到地，从而使blb电位下降，bl、blb间电位产生电压差，当电压差达到一定值后打开灵敏度放大器，对电压进行放大，再送到输出电路，读出数据。
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但是sram也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的dram内存可以设计为较小的体积，但是sram却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的dram，因此sram显得更贵。
sram规格 一种是置于cpu与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（cache memory）；另一种是插在卡槽上的coast（cache on a stick）扩充用的高速缓存，另外在cmos芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节sram，存储我们所设置的配置数据。
还有为了加速cpu内部数据的传送，自80486cpu起，在cpu的内部也设计有高速缓存，故在pentium cpu就有所谓的l1 cache（一级高速缓存）和l2cache（二级高速缓存）的名词，一般l1 cache是建在cpu的内部，l2 cache是设计在cpu的外部，但是pentium pro把l1和l2 cache同时设计在cpu的内部，故pentium pro的体积较大。
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缺点，集成度低，掉电不能保存数据，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
sram使用的系统：cpu与主存之间的高速缓存；cpu内部的l1/l2或外部的l2高速缓存；cpu外部扩充用的coast高速缓存；cmos 146818芯片（rt&cmos sram）。
sram工作原理 假设准备往图2的6t存储单元写入“1”，先将某一组地址值输入到行、列译码器中，选中特定的单元，然后使写使能信号we有效，将要写入的数据“1”通过写入电路变成“1”和“0”后分别加到选中单元的两条位线bl。
blb上，此时选中单元的wl=1，晶体管n0，n5打开，把bl，blb上的信号分别送到q，qb点，从而使q=1，qb=0，这样数据“1”就被锁存在晶体管p2，p3，n3，n4构成的锁存器中。
写入数据“0”的过程类似。sram的读过程以读“1”为例，通过译码器选中某列位线对bl，blb进行预充电到电源电压vdd，预充电结束后，再通过行译码器选中某行，则某一存储单元被选中，由于其中存放的是“1”，则wl=1、q=1、qb=0。
晶体管n4、n5导通，有电流经n4、n5到地，从而使blb电位下降，bl、blb间电位产生电压差，当电压差达到一定值后打开灵敏度放大器，对电压进行放大，再送到输出电路，读出数据。
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