SiC器件相对于Si器件的优势有什么
wbg化合物半导体具有更高的电子迁移率和更高的带隙能量，因此其财产优于硅。由wbg化合物半导体制成的晶体管具有较高的击穿电压和耐高温性。这些器件在高电压和高功率应用中比硅具有优势。
wbg晶体管的开关速度也比硅快，可以在更高的频率下工作。较低的“开关”电阻意味着它们消耗更少的功率，从而提高效率。这种独特的功能组合使这些设备对汽车应用中一些最苛刻的电路具有吸引力，尤其是混合动力和电动汽车。
sic和gan的应用领域略有不同。目前，gan组件通常用于电压低于900v的领域，如充电器、基站、5g通信相关高频产品；sic的电压大于1200v，如电动汽车、电动汽车充电基础设施、太阳能和海上风力发电设备。
sic器件相对于si器件的优势主要来源于三个方面：降低功率转换过程中的能量损失、更容易小型化以及更好的耐高温和耐压力性。
减少能量损失
sic材料的开关损耗非常低，整个sic功率模块的开关损耗远低于相同igbt模块的开关损失，并且开关频率越高，igbt模块与igbt模块之间的损耗差异越大，这意味着对于igbt模块而言，不擅长高速开关工作，整个sic功率模块不仅可以大大降低损耗，而且可以实现高速切换。
低电阻使小型化更容易
sic材料具有较低的导通电阻，并且在相同电阻值下可以减小芯片面积。sic功率模块的尺寸可以仅为si的约1/10。
更耐高温
sic的带隙为3.23ev，对应的本征温度可高达800摄氏度，高于si。sic的热导率为3.7w/cm/k，而硅的热导率仅为1.5w/cm/k。较高的热导率可导致功率密度显著增加，同时，冷却系统的设计更简单，或直接使用自然冷却。
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