NorFlash、NandFlash、eMMC闪存三者对比
本文主要是关于norflash、nandflash、emmc的相关介绍，并着重对norflash、nandflash、emmc三者的区别进行了详尽的阐述。
norflash norflash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。intel于1988年首先开发出nor flash 技术，彻底改变了原先由eprom（erasable programmable read-only-memory电可编程序只读存储器）和eeprom（电可擦只读存储器electrically erasable programmable read - only memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。nor flash 的特点是芯片内执行（xip ，execute in place），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中。nor 的传输效率很高，在1~4mb的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。nand的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。通常读取nor的速度比nand稍快一些，而nand的写入速度比nor快很多，在设计中应该考虑这些情况。——《arm嵌入式linux系统开发从入门到精通》 李亚峰 欧文盛 等编著 清华大学出版社 p52 注释 api key
性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的，而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除nor器件时是以64～128kb的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除nand器件是以8～32kb的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nand之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于nor的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
l 、nor的读速度比nand稍快一些。
2、 nand的写入速度比nor快很多。
3 、nand的4ms擦除速度远比nor的5s快。
4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5 、nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
此外，nand的实际应用方式要比nor复杂的多。nor可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而nand需要i/o接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对nand结构的flash都有支持。此外，linux内核也提供了对nand结构的flash的支持。
详解
nor和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。intel于1988年首先开发出nor flash技术，彻底改变了原先由eprom和eeprom一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清nor和nand闪存。
像“flash存储器”经常可以与相“nor存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存技术相对于nor技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时nor闪存更适合一些。而nand则是高数据存储密度的理想解决方案。
nor的特点是芯片内执行（xip， execute in place），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中。nor的传输效率很高，在1～4mb的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
nand结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。
nand flash nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、mp3随身听记忆卡、体积小巧的u盘等。
nor和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。intel于1988年首先开发出nor flash技术，彻底改变了原先由eprom和eeprom一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清nor和nand闪存。
“nand存储器”经常可以与“nor存储器”相互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存技术相对于nor技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码并且需要多次擦写，这时nor闪存更适合一些。而nand则是高数据存储密度的理想解决方案。
nor的特点是芯片内执行（xip， execute in place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中。nor的传输效率很高，在1～4mb的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。
nand结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。
特点
容量和成本
nand flash的单元尺寸几乎是nor器件的一半，由于生产过程更为简单，nand结构可 以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就 相应地降低了价格。
nor flash占据了容量为1～16mb闪存市场的大部分，而nand flash只是用在8～128m b的产品当中，这也说明nor主要应用在代码存 储介质中，nand适合于数据存储，nand在compactflash、secure digital、pc cards和m mc存储卡市场上所占份额最大。
物理构成
nand flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte（x8）/word（x16），这就是nand device的位宽。这些line会再组成page，（nand flash 有多种结构，我使用的nand flash 是k9f1208，下面内容针对三星的k9f1208u0m），每页528bytes（512byte（main area）+16byte（spare area）），每32个page形成一个block（32*528b）。具体一片flash上有多少个block视需要所定。我所使用的三星k9f1208u0m具有4096个block，故总容量为4096*（32*528b）=66mb，但是其中的2mb是用来保存ecc校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64mb。
nand flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：
column address：starting address of the register. 翻成中文为列地址，地址的低8位
page address ：页地址
block address ：块地址
对于nand flash来讲，地址和命令只能在i/o［7:0］上传递，数据宽度是8位。
可靠耐用性
采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展mtbf的系统来说 ，flash是非常合适的存储方案。可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的可靠性。
寿命（耐用性）
在nand闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而nor的擦写次数是十万次。
nand存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型 的nand块尺寸要比nor器件小8倍，每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一 些。
emmc emmc （embedded multi media card）是mmc协会订立、主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。emmc在封装中集成了一个控制器，提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的nand供应商来说，同样的重要。
结构
由一个嵌入式存储解决方案组成，带有mmc（多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器。所有都在一个小型的bga 封装。接口速度高达每秒52mbytes，emmc具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是1.8v 或者是3.3v。 ［1］
应用
emmc的应用是对存储容量有较高要求的消费电子产品。2011年已大量生产的一些热门产品，如palm pre、amazon kindle ii和flip minohd，都采用了emmc。为了确认这些产品究竟使用了何种存储器，isuppli利用拆机分析业务对它们进行了拆解，发现emmc身在其中。 ［2］
优点
1.简化手机存储器的设计。emmc目前是当前最红的移动设备本地存储解决方案，目的在于简化手机存储器的设计，由于nand flash芯片的不同厂牌包括三星、kingmax、东芝（toshiba）或海力士（hynix）、美光（micron）等，所以都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，而过去并没有技术能够通用所有厂牌的nand flash芯片。
2.更新速度快。每次nand flash制程技术改朝换代，包括70纳米演进至50纳米，再演进至40纳米或30纳米制程技术，手机客户也都要重新设计，但半导体产品每1年制程技术都会推陈出新，存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像emmc这种把所有存储器和管理nand flash的控制芯片都包在1颗mcp上的概念，随着不断地发展逐渐流行在市场中。
3.加速产品研发速度。emmc的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将nand flash芯片和控制芯片设计成1颗mcp芯片，手机客户只需要采购emmc芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的nand flash兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。
norflash、nandflash、emmc闪存三者对比 快闪存储器（英语：flash memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与u盘。闪存是非易失性的存储器，所以单就保存数据而言， 它是不需要消耗电力的。
硬盘相比，闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因。闪存还有一项特性：当它被制成储存卡时非常可靠，即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度。闪存的写入速度往往明显慢于读取速度。
一、norflash
nor flash需要很长的时间进行抹写，但是它提供完整的寻址与数据总线，并允许随机存取存储器上的任何区域，这使的它非常适合取代老式的rom芯片。当时rom芯片主要用来存储几乎不需更新的代码，例如电脑的bios或机上盒（set-top box）的固件。nor flash可以忍受一万到一百万次抹写循环，它同时也是早期的可移除式快闪存储媒体的基础。compactflash本来便是以nor flash为基础的，虽然它之后跳槽到成本较低的 nand flash。
二、nandflash
nand flash式东芝在1989年的国际固态电路研讨会（isscc）上发表的， 要在nandflash上面读写数据，要外部加主控和电路设计。nand flash具有较快的抹写时间， 而且每个存储单元的面积也较小，这让nand flash相较于nor flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出nor flash十倍。然而nand flash 的i/o接口并没有随机存取外部地址总线，它必须以区块性的方式进行读取，nand flash典型的区块大小是数百至数千比特。
因为多数微处理器与微控制器要求字节等级的随机存取，所以nand flash不适合取代那些用以装载程序的rom。从这样的角度看来，nand flash比较像光盘、硬盘这类的次级存储设备。nand flash非常适合用于储存卡之类的大量存储设备。第一款创建在nand flash基础上的可移除式存储媒体是smartmedia，此后许多存储媒体也跟着采用nand flash，包括multimediacard、secure digital、memory stick与xd卡。
三、emmc
emmc （embedded multi media card） 为mmc协会所订立的，emmc 相当于 nandflash+主控ic，对外的接口协议与sd、tf卡一样，主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。emmc的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的nand供应商来说，同样的重要。
emmc由一个嵌入式存储解决方案组成，带有mmc（多媒体卡）接口、快闪存储器设备（nand flash）及主控制器，所有都在一个小型的bga 封装。接口速度高达每秒52mbytes，emmc具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是 1.8v 或者是 3.3v。
结语 关于norflash、nandflash、emmc的相关介绍就到这了，如有不足之处欢迎指正。
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norflash norflash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。intel于1988年首先开发出nor flash 技术，彻底改变了原先由eprom（erasable programmable read-only-memory电可编程序只读存储器）和eeprom（电可擦只读存储器electrically erasable programmable read - only memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。nor flash 的特点是芯片内执行（xip ，execute in place），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中。nor 的传输效率很高，在1~4mb的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。nand的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。通常读取nor的速度比nand稍快一些，而nand的写入速度比nor快很多，在设计中应该考虑这些情况。——《arm嵌入式linux系统开发从入门到精通》 李亚峰 欧文盛 等编著 清华大学出版社 p52 注释 api key
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flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的，而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除nor器件时是以64～128kb的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除nand器件是以8～32kb的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nand之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于nor的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
l 、nor的读速度比nand稍快一些。
2、 nand的写入速度比nor快很多。
3 、nand的4ms擦除速度远比nor的5s快。
4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5 、nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
此外，nand的实际应用方式要比nor复杂的多。nor可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而nand需要i/o接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对nand结构的flash都有支持。此外，linux内核也提供了对nand结构的flash的支持。
详解
nor和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。intel于1988年首先开发出nor flash技术，彻底改变了原先由eprom和eeprom一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清nor和nand闪存。
像“flash存储器”经常可以与相“nor存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存技术相对于nor技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时nor闪存更适合一些。而nand则是高数据存储密度的理想解决方案。
nor的特点是芯片内执行（xip， execute in place），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中。nor的传输效率很高，在1～4mb的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
nand结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。
nand flash nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、mp3随身听记忆卡、体积小巧的u盘等。
nor和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。intel于1988年首先开发出nor flash技术，彻底改变了原先由eprom和eeprom一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清nor和nand闪存。
“nand存储器”经常可以与“nor存储器”相互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存技术相对于nor技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码并且需要多次擦写，这时nor闪存更适合一些。而nand则是高数据存储密度的理想解决方案。
nor的特点是芯片内执行（xip， execute in place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中。nor的传输效率很高，在1～4mb的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。
nand结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。
特点
容量和成本
nand flash的单元尺寸几乎是nor器件的一半，由于生产过程更为简单，nand结构可 以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就 相应地降低了价格。
nor flash占据了容量为1～16mb闪存市场的大部分，而nand flash只是用在8～128m b的产品当中，这也说明nor主要应用在代码存 储介质中，nand适合于数据存储，nand在compactflash、secure digital、pc cards和m mc存储卡市场上所占份额最大。
物理构成
nand flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte（x8）/word（x16），这就是nand device的位宽。这些line会再组成page，（nand flash 有多种结构，我使用的nand flash 是k9f1208，下面内容针对三星的k9f1208u0m），每页528bytes（512byte（main area）+16byte（spare area）），每32个page形成一个block（32*528b）。具体一片flash上有多少个block视需要所定。我所使用的三星k9f1208u0m具有4096个block，故总容量为4096*（32*528b）=66mb，但是其中的2mb是用来保存ecc校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64mb。
nand flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：
column address：starting address of the register. 翻成中文为列地址，地址的低8位
page address ：页地址
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对于nand flash来讲，地址和命令只能在i/o［7:0］上传递，数据宽度是8位。
可靠耐用性
采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展mtbf的系统来说 ，flash是非常合适的存储方案。可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的可靠性。
寿命（耐用性）
在nand闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而nor的擦写次数是十万次。
nand存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型 的nand块尺寸要比nor器件小8倍，每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一 些。
emmc emmc （embedded multi media card）是mmc协会订立、主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。emmc在封装中集成了一个控制器，提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的nand供应商来说，同样的重要。
结构
由一个嵌入式存储解决方案组成，带有mmc（多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器。所有都在一个小型的bga 封装。接口速度高达每秒52mbytes，emmc具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是1.8v 或者是3.3v。 ［1］
应用
emmc的应用是对存储容量有较高要求的消费电子产品。2011年已大量生产的一些热门产品，如palm pre、amazon kindle ii和flip minohd，都采用了emmc。为了确认这些产品究竟使用了何种存储器，isuppli利用拆机分析业务对它们进行了拆解，发现emmc身在其中。 ［2］
优点
1.简化手机存储器的设计。emmc目前是当前最红的移动设备本地存储解决方案，目的在于简化手机存储器的设计，由于nand flash芯片的不同厂牌包括三星、kingmax、东芝（toshiba）或海力士（hynix）、美光（micron）等，所以都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，而过去并没有技术能够通用所有厂牌的nand flash芯片。
2.更新速度快。每次nand flash制程技术改朝换代，包括70纳米演进至50纳米，再演进至40纳米或30纳米制程技术，手机客户也都要重新设计，但半导体产品每1年制程技术都会推陈出新，存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像emmc这种把所有存储器和管理nand flash的控制芯片都包在1颗mcp上的概念，随着不断地发展逐渐流行在市场中。
3.加速产品研发速度。emmc的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将nand flash芯片和控制芯片设计成1颗mcp芯片，手机客户只需要采购emmc芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的nand flash兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。
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硬盘相比，闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因。闪存还有一项特性：当它被制成储存卡时非常可靠，即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度。闪存的写入速度往往明显慢于读取速度。
一、norflash
nor flash需要很长的时间进行抹写，但是它提供完整的寻址与数据总线，并允许随机存取存储器上的任何区域，这使的它非常适合取代老式的rom芯片。当时rom芯片主要用来存储几乎不需更新的代码，例如电脑的bios或机上盒（set-top box）的固件。nor flash可以忍受一万到一百万次抹写循环，它同时也是早期的可移除式快闪存储媒体的基础。compactflash本来便是以nor flash为基础的，虽然它之后跳槽到成本较低的 nand flash。
二、nandflash
nand flash式东芝在1989年的国际固态电路研讨会（isscc）上发表的， 要在nandflash上面读写数据，要外部加主控和电路设计。nand flash具有较快的抹写时间， 而且每个存储单元的面积也较小，这让nand flash相较于nor flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出nor flash十倍。然而nand flash 的i/o接口并没有随机存取外部地址总线，它必须以区块性的方式进行读取，nand flash典型的区块大小是数百至数千比特。
因为多数微处理器与微控制器要求字节等级的随机存取，所以nand flash不适合取代那些用以装载程序的rom。从这样的角度看来，nand flash比较像光盘、硬盘这类的次级存储设备。nand flash非常适合用于储存卡之类的大量存储设备。第一款创建在nand flash基础上的可移除式存储媒体是smartmedia，此后许多存储媒体也跟着采用nand flash，包括multimediacard、secure digital、memory stick与xd卡。
三、emmc
emmc （embedded multi media card） 为mmc协会所订立的，emmc 相当于 nandflash+主控ic，对外的接口协议与sd、tf卡一样，主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。emmc的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的nand供应商来说，同样的重要。
emmc由一个嵌入式存储解决方案组成，带有mmc（多媒体卡）接口、快闪存储器设备（nand flash）及主控制器，所有都在一个小型的bga 封装。接口速度高达每秒52mbytes，emmc具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是 1.8v 或者是 3.3v。
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