肖特基势垒二极管的特征介绍
再次谈及si二极管，将说明肖特基势垒二极管（以下简称为sbd）的相关特征和应用。
si-sbd的特征
如前文所述，si-sbd并非pn结，而是利用硅称之为势垒金属的金属相接合（肖特基接合）所产生的肖特基势垒。si-sbd的特性因势垒金属的种类而异。而且，其特性的不同，应用方向也不同。下表汇总了势垒金属的特征及其适合的应用。表中凡标有“×”的项目，请理解为：其与其他项目相比，特性较差、不适合。
典型的势垒金属有钛、钼、铂。
使用钛的sbd具有vf非常低的特征，但反向漏电流ir却比其他的高。因此，发热多，不适用于环境温度高的条件。后文还将详细说明，其存在容易导致热失控的倾向。就应用而言，因为其vf较小，导通损耗少，电压下降较小，所以适合用于电池驱动电路。
使用钼的sbd，属于vf和ir平衡型，多使用于dc/dc转换器电路。
使用铂的sbd，ir非常小，发热小，所以最适用于高温环境条件下使用。由此可见，是车载设备应用的首选。
其他的二极管均系通用的pn结整流二极管。ir较小，大多数应用场合均可忽略不计。与此相反，si-sbd却存在不可忽视的反向电流ir。这就是在使用si-sbd之际必须考虑的关键要点。
接着，下面图表中用“○”或“△”具体表示各种sbd的特性。例如，钛sbd的vf非常低，但ir较大。
si-sbd的热失控
在这里说明，就使用si-sbd之际关于热失控的重点研讨事项。热失控是由于发热引发二极管的tj超过最大额定值，严重时可能会导致某种破坏性结果。如前所述，切勿忽视因si-sbd的ir损耗。发热是ir和vr（反向电压）的积，即漏电流产生的反向功率损耗乘以热阻之积。与普通的热计算公式相同。因此，ir较大的钛sbd最为不利。此时，ir有随着vr增高也增高的倾向，并有伴随温度上升，而増加的正相关温度特性（请参考前篇说明）。因自身发热（或者周围温度上升）引发tj上升，ir増加，进而发热加剧ir増加，从而导致失控状态。当然，这属于发热量大于散热量这一条件因素的话题。
为了防止热失控，即使存在因各种条件而导致发热，也必须进行使其充分散热的热设计。以下是有关热失控的关键要点。
起因于ir的发热，引发热失控，导致二极管破损。
必须进行充分的热计算、散热设计，以实现发热量＜散热量。
tj不准超过tj max：tj ＝ ta＋发热
发热 ＝ 热阻（θja）×电流(ir）×电压（vr）
散热程度因封装、安装pcb板、周围环境等因素而异，必须认真验证。
依据vf和ir的应用示意图
最后是适合二极管特性及其适合应用示意图，设计时仅供参考。
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si-sbd的特征
如前文所述，si-sbd并非pn结，而是利用硅称之为势垒金属的金属相接合（肖特基接合）所产生的肖特基势垒。si-sbd的特性因势垒金属的种类而异。而且，其特性的不同，应用方向也不同。下表汇总了势垒金属的特征及其适合的应用。表中凡标有“×”的项目，请理解为：其与其他项目相比，特性较差、不适合。
典型的势垒金属有钛、钼、铂。
使用钛的sbd具有vf非常低的特征，但反向漏电流ir却比其他的高。因此，发热多，不适用于环境温度高的条件。后文还将详细说明，其存在容易导致热失控的倾向。就应用而言，因为其vf较小，导通损耗少，电压下降较小，所以适合用于电池驱动电路。
使用钼的sbd，属于vf和ir平衡型，多使用于dc/dc转换器电路。
使用铂的sbd，ir非常小，发热小，所以最适用于高温环境条件下使用。由此可见，是车载设备应用的首选。
其他的二极管均系通用的pn结整流二极管。ir较小，大多数应用场合均可忽略不计。与此相反，si-sbd却存在不可忽视的反向电流ir。这就是在使用si-sbd之际必须考虑的关键要点。
接着，下面图表中用“○”或“△”具体表示各种sbd的特性。例如，钛sbd的vf非常低，但ir较大。
si-sbd的热失控
在这里说明，就使用si-sbd之际关于热失控的重点研讨事项。热失控是由于发热引发二极管的tj超过最大额定值，严重时可能会导致某种破坏性结果。如前所述，切勿忽视因si-sbd的ir损耗。发热是ir和vr（反向电压）的积，即漏电流产生的反向功率损耗乘以热阻之积。与普通的热计算公式相同。因此，ir较大的钛sbd最为不利。此时，ir有随着vr增高也增高的倾向，并有伴随温度上升，而増加的正相关温度特性（请参考前篇说明）。因自身发热（或者周围温度上升）引发tj上升，ir増加，进而发热加剧ir増加，从而导致失控状态。当然，这属于发热量大于散热量这一条件因素的话题。
为了防止热失控，即使存在因各种条件而导致发热，也必须进行使其充分散热的热设计。以下是有关热失控的关键要点。
起因于ir的发热，引发热失控，导致二极管破损。
必须进行充分的热计算、散热设计，以实现发热量＜散热量。
tj不准超过tj max：tj ＝ ta＋发热
发热 ＝ 热阻（θja）×电流(ir）×电压（vr）
散热程度因封装、安装pcb板、周围环境等因素而异，必须认真验证。
依据vf和ir的应用示意图
最后是适合二极管特性及其适合应用示意图，设计时仅供参考。
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