案例分享第九期：氮化铝陶瓷切割实例
氮化铝陶瓷的特性
大多数陶瓷是离子键或共价键极强的材料，具有较高的绝缘性能和优异的高频特性，同时线膨胀系数与电子元器件非常相近，化学性能非常稳定且热导率高，是电子封装中常用的基板材料。
长期以来，绝大多数大功率混合集成电路的基板材料一直沿用al₂o₃氧化铝和beo氧化铍陶瓷。但al₂o₃基板的热导率低，热膨胀系数和硅不太匹配。beo虽然具有优良的综合性能，但其较高的生产成本和剧毒的缺点限制了它的应用推广。因此，从性能、成本和环保等因素考虑，二者已不能完全满足现代电子功率器件发展的需要。
与之相比，氮化铝陶瓷导热率可以达到氧化铝陶瓷基覆铜板的10倍左右，线性膨胀系数与硅很接近，非常适用于半导体基板和结构封装材料。
多层陶瓷基板多采用氮化铝陶瓷基片来做，工艺一般分高温共烧htcc制作工艺和低温共烧ltcc制作工艺。氮化铝陶瓷覆铜板按照金属层厚度不同，采用的工艺一般有所不同。一般要做厚铜800um~100um， 多采用amb活性钎焊工艺，金属结合力更好；薄铜多采用dpc制作工艺，铜层较薄，最薄可以做1um的铜层，适合做精密线路。
以下是应用西斯特树脂刀切割氮化铝陶瓷覆铜板实例。
案例实录
►
测试目的
1、测试正面背面切痕情况。
2、测试崩缺卷铜情况。
►
材料情况
切割产品
陶瓷覆铜板
切割道表面材质
氮化铝陶瓷+铜
产品尺寸
115*75mm
产品厚度
0.35mm
胶膜类型
蓝膜
►
工艺参数
切割工艺
单刀切断
设备型号
dad321
主轴转速
28k rpm
进刀速度
5mm/s
刀片高度
0.05mm
►
样刀准备
sstrp 1a8-sdc-500-50-m 56*0.15*40
►
样刀规格
刀片尺寸
56*0.15*40
金刚石粒度
500#
结合剂强度
m（中）
集中度
50
►
测试结果
1、正崩、侧崩、背崩均在崩缺控制范围内，正崩＜25μm，侧崩＜25μm，背崩＜50μm。
2、倒膜检查背面整体刀痕平滑，侧面刀痕良好。
正面效果
背面效果
侧面效果
西斯特科技
深圳西斯特科技有限公司 (简称西斯特sst) ，以“让一切磨削加工变得容易”为主旨，倡导磨削系统方法论，2015年金秋创立于深圳，根植于技术创新的精神，屹立于创造价值、追求梦想的企业文化。
基于对应用现场的深度解读、创新性的磨具设计和磨削系统方法论的实际应用，西斯特秉承先进的磨削理念，践行于半导体、消费电子、汽车零部件等行业，提供高端磨具产品以及“切、磨、钻、抛”系统解决方案，在晶圆与封装基板划切、微晶玻璃和功能陶瓷磨削、汽车零部件精密磨削等领域应用广泛。
西斯特科技始终以先进的技术、创新的产品、优质服务的理念，引领产业革命，创造无限可能。
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1、测试正面背面切痕情况。
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产品厚度
0.35mm
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进刀速度
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刀片高度
0.05mm
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样刀准备
sstrp 1a8-sdc-500-50-m 56*0.15*40
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样刀规格
刀片尺寸
56*0.15*40
金刚石粒度
500#
结合剂强度
m（中）
集中度
50
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测试结果
1、正崩、侧崩、背崩均在崩缺控制范围内，正崩＜25μm，侧崩＜25μm，背崩＜50μm。
2、倒膜检查背面整体刀痕平滑，侧面刀痕良好。
正面效果
背面效果
侧面效果
西斯特科技
深圳西斯特科技有限公司 (简称西斯特sst) ，以“让一切磨削加工变得容易”为主旨，倡导磨削系统方法论，2015年金秋创立于深圳，根植于技术创新的精神，屹立于创造价值、追求梦想的企业文化。
基于对应用现场的深度解读、创新性的磨具设计和磨削系统方法论的实际应用，西斯特秉承先进的磨削理念，践行于半导体、消费电子、汽车零部件等行业，提供高端磨具产品以及“切、磨、钻、抛”系统解决方案，在晶圆与封装基板划切、微晶玻璃和功能陶瓷磨削、汽车零部件精密磨削等领域应用广泛。
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