深入探讨功率MOSFET变化对电流和电压回路行为的影响
1.1稳定回路比较:电压回路调节，电流回路限制。
本章讨论功率mosfet变化对两个回路(电流和电压)行为的影响。由于mosfet只影响功率单元，所以理论研究只适用于功率单元模型。
1.1.1模块图
下面的框图表示电子调节回路的等效行为。
1.1.2mosfet参数对电压调节回路的影响
ø电压控制工作模式下的功率单元传递功能
从硬件文档(power mosfets用户指南)我们有以下模型:
“”线性鼓风机应用:
-对于所选电压调节的非常小的带宽(大约100hz)，极点的二阶项和零项都是可以忽略的。
-因为g。rsh < 45°典型(mφ=相位迟滞注意到,增益等于0 db + 180°,与相位迟滞 12 db的典型(mg =衰减注意到180°相位迟滞)。
框图概括了这一一般原则:
1.1.4.1电机电压循环稳定
v模拟方案
为了验证其稳定性，对vbat ={3.5v, 13.5v和16v} 3个值进行了仿真。
v仿真结果
ipp irf3305 mosfet在vbat={6.5v, 13.5和16v}和dc请求= 5v的仿真结果:
v结论:
我们观察到边缘阶段(阶段价值当增益= 1伏特分贝)高于45°的3场效电晶体在电压电源(13.5 v和3.5 v,16 v)和直流请求的值无关。因此，在3mosfet的作用下，电压调节回路是稳定的。
1.1.1.1电流环稳定
v模拟方案
v仿真结果
ipp 80n06s2-05 mosfet在vbat = 13、5v和dc请求= 5v时的仿真结果:
v结论:
我们观察到边缘阶段(阶段价值当增益= 1伏特分贝)高于45°的3场效电晶体在电压电源(13.5 v和3.5 v,16 v)和直流请求的值无关。因此，在3mosfet的作用下，电压调节回路是稳定的。
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v结论:
我们观察到边缘阶段(阶段价值当增益= 1伏特分贝)高于45°的3场效电晶体在电压电源(13.5 v和3.5 v,16 v)和直流请求的值无关。因此，在3mosfet的作用下，电压调节回路是稳定的。
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