Diodes推出运行温度低于大型封装器件的MOSFET
diodes公司推出一系列采用超小型dfn1006-3封装的高性能mosfet产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的pcb面积，较同类sot723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻 (roja) 为256ºc/w，在连续条件下功耗高达1.3w，而同类产品的功耗则多出一倍。
因此，该mosfet的运行温度更低，并可节省空间，加上离板高度仅为0.4毫米，尤其适用于超薄便携式消费电子产品，包括平板电脑及智能手机。diodes 率先提供额定电压为20v、30v及60v的n沟道和p沟道器件，这些器件可用于多种高可靠性的负载开关 (load switching)、信号转换 (signal switching) 及升压转换 (boost conversion) 应用。
例如，额定电压为20v的dmn2300ufb4 n沟道mosfet的导通电阻仅为150mω，比同类解决方案低一半以上，有助于大幅减少传导损耗和功耗。而p沟道、20v 的dmn2300ufb4可提供类似的同类领先性能。这两款mosfet同时具备较高的静电放电额定值 (esd rating)，分别为2kv和3kv。
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因此，该mosfet的运行温度更低，并可节省空间，加上离板高度仅为0.4毫米，尤其适用于超薄便携式消费电子产品，包括平板电脑及智能手机。diodes 率先提供额定电压为20v、30v及60v的n沟道和p沟道器件，这些器件可用于多种高可靠性的负载开关 (load switching)、信号转换 (signal switching) 及升压转换 (boost conversion) 应用。
例如，额定电压为20v的dmn2300ufb4 n沟道mosfet的导通电阻仅为150mω，比同类解决方案低一半以上，有助于大幅减少传导损耗和功耗。而p沟道、20v 的dmn2300ufb4可提供类似的同类领先性能。这两款mosfet同时具备较高的静电放电额定值 (esd rating)，分别为2kv和3kv。
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