判断FinFET、FD-SOI与平面半导体制程的市场版图还早
要判定finfet、fd-soi与平面半导体制程各自的市场版图还为时过早…
尽管产量仍然非常少，全空乏绝缘上覆矽（fully depleted silicon-on-insulator，fd-soi）制程有可能继globalfoundries宣布12纳米计画（参考阅读）之后快速成长；而市 场研究机构international business strategies （ibs）资深分析师handel jones表示，三星（samsung）或将在中国上海成立的一座新晶圆厂是否会采用fd-soi制程技术，会是其中的重要因素。
获得英 特尔（intel）、三星、台积电（tsmc）等大厂采用的finfet制程，号称能提供最高性能与最低功耗；但jones指出，在约当14纳米节 点，fd-soi每逻辑闸成本能比finfet低16.8%，此外其设计成本也低25%左右，并降低了需要重新设计的风险。
此外不久前在 上海出席了一场fd-soi技术会议的jones指出，fd-soi具备能透过偏压（biasing）动态管理功耗的独特能力；该制程还因为明显比 finfet更高的截止频率（cut-off frequency），而能为rf带来更有力的支援：“我们认为智慧型手机应用处理器与数据机晶片会采用12纳米fd-soi制程，替代10纳米或可能的7纳米finfet。”
ibs指出，在14纳米节点，fd-soi的晶圆成本比finfet低16.8%（来源：ibs）
jones 估计，如果该制程只能从globalfoundries取得，可能产量会成长至占据全球先进节点晶圆代工业务的四分之一；不过：“如果三星在重要时刻加 入，我认为有40~50%的14/16/10纳米节点代工业务可能会由fd-soi囊括──三星是外卡（wild card）选手。”
中国则是另一个“外卡”选手，特别是一座正在上海兴建的新晶圆厂──该座隶属于上海华力（hua li）的晶圆厂（第二座）将可从中国政府取得58亿美元的补助；jones表示，该座晶圆厂还未选择要采用哪种制程，但：“他们有合理的可能性会选fd-soi。”
华力现正营运中的12寸晶圆厂每月产能约3万片；该公司是华虹（hua hong）集团的一份子，同属该集团的还有目前拥有一座8寸晶圆厂的宏力半导体（grace semiconductor）。
不过号称是中国拥有最先进技术的晶圆代工业者中芯国际（smic），则不太可能会采用fd-soi制程；jones表示，该公司将注意力集中在量产 high-k金属闸极与多晶矽28纳米制程：“他们做的是市场主流正确选择。”然而他也认为，中国尝试于复杂的finfet制程与台积电竞争，恐怕仍会落 后一大段距离；台积电已经有500位工程师专注于实现finfet设计。
整体看来，要判定finfet、fd-soi与平面半导体制程各自的市场版图还为时过早；jones所能估计的是fd-soi技术整体有效市场（total available market），并非市占率。
fd-soi制程在2017年估计有170亿美元的有效市场，但还不确定实际上能产生多少营收（来源：ibs）
现有的22纳米fd-soi晶圆出货量估计在每月6万~10万片，整体28纳米制程晶圆出货量则为30万片；jones表示，globalfoundries预期在2019年以前不会与客户展开在12纳米fd-soi制程上的合作：“他们应该尝试加快速度。”
而ibs预期，各种不同类型的28纳米制程仍会是市场最大宗，估计到2025年都会维持每月30万片晶圆的产量；在jones出席的上海会议中，有一位三星高层展示了一张投影片，表示该公司认为28纳米会维持比其他节点都低的单电晶体成本。
长期看来，各种型态的28纳米平面电晶体制程仍会是市场主流（来源：ibs）
也就是说，finfet制程还有很大的成长潜力；据说苹果（apple）是采用台积电的16ff+制程生产iphone 7之a10处理器，预期将会继续采用台积电的10纳米finfet制程，生产可能会在明年开始量产iphone 8使用的a11处理器。
jones表示：“apple积极推动明年以10纳米制程生产晶片，以及后年的7纳米制程；而台积电也积极投入资本支出赶上进度──也许还是会延迟一季或两季，但会实现量产。”
ibs 估计，finfet制程的每逻辑闸成本因为其复杂性与较低良率，可能在每个节点都会略微上升；不过jones表示，对此英特尔有不同的观点，表示该公司认 为每个节点的电晶体成本会持续下降：“这需要达到固定良率（constant yields），这是个优良目标但不容易达成，我不知道英特尔的14纳米节点是否已经达到该目标。”
至于台积电则不太可能会采用fd- soi技术，但jones认为该公司绝对会对该制程带来的竞争压力做出回应：“他们或许得积极推动7纳米制程，并提供结合rf、嵌入式非挥发性记忆体，以 及另外采用其昂贵但表现优异的inflo技术制造的i/o功能区块的多晶片解决方案。”
ibs预期，每一代的finfet制程逻辑闸成本将持续上扬（来源：ibs）
编译：judith cheng
（参考原文： chip process war heats up，by rick merritt）
高度传感器获得合资品牌头部车企定点
WSTS并指出，明年(2019年)全球半导体市场虽预估将持续呈现增长
什么是电压驻波比和回波损耗
谷歌DeepMind用AI改进数据排序
电池修复技术—几个尽量的知识点说明
判断FinFET、FD-SOI与平面半导体制程的市场版图还早
C++调用API函数库接口实现手轮配置
小米改革序幕开启 雷军大刀指向营收目标与接班人
科教城产业基金投资AMR磁传感器领先企业微传科技
S3C2440如何设置系统时钟
vivox7plus拆解全方位评测
未来苹果智能手套将具备AR/VR体验
IGBT模块散热不好温度过热造成的危害
鸭蛋抗生素检测仪的应用范围及产品性能
海思、比特大陆、寒武纪将采用台积电7nm_解密Arm中国
满足物联网低功耗设计的传感器融合
门罗币在隐私保护方面还存在着严重的缺陷
深入浅析Linux内核之内核线程（上）
2010年IIC-China春季展四大热点抢先看
MAX11120-MAX11128低功耗,逐次逼近寄存器串行ADC
尽管产量仍然非常少，全空乏绝缘上覆矽（fully depleted silicon-on-insulator，fd-soi）制程有可能继globalfoundries宣布12纳米计画（参考阅读）之后快速成长；而市 场研究机构international business strategies （ibs）资深分析师handel jones表示，三星（samsung）或将在中国上海成立的一座新晶圆厂是否会采用fd-soi制程技术，会是其中的重要因素。
获得英 特尔（intel）、三星、台积电（tsmc）等大厂采用的finfet制程，号称能提供最高性能与最低功耗；但jones指出，在约当14纳米节 点，fd-soi每逻辑闸成本能比finfet低16.8%，此外其设计成本也低25%左右，并降低了需要重新设计的风险。
此外不久前在 上海出席了一场fd-soi技术会议的jones指出，fd-soi具备能透过偏压（biasing）动态管理功耗的独特能力；该制程还因为明显比 finfet更高的截止频率（cut-off frequency），而能为rf带来更有力的支援：“我们认为智慧型手机应用处理器与数据机晶片会采用12纳米fd-soi制程，替代10纳米或可能的7纳米finfet。”
ibs指出，在14纳米节点，fd-soi的晶圆成本比finfet低16.8%（来源：ibs）
jones 估计，如果该制程只能从globalfoundries取得，可能产量会成长至占据全球先进节点晶圆代工业务的四分之一；不过：“如果三星在重要时刻加 入，我认为有40~50%的14/16/10纳米节点代工业务可能会由fd-soi囊括──三星是外卡（wild card）选手。”
中国则是另一个“外卡”选手，特别是一座正在上海兴建的新晶圆厂──该座隶属于上海华力（hua li）的晶圆厂（第二座）将可从中国政府取得58亿美元的补助；jones表示，该座晶圆厂还未选择要采用哪种制程，但：“他们有合理的可能性会选fd-soi。”
华力现正营运中的12寸晶圆厂每月产能约3万片；该公司是华虹（hua hong）集团的一份子，同属该集团的还有目前拥有一座8寸晶圆厂的宏力半导体（grace semiconductor）。
不过号称是中国拥有最先进技术的晶圆代工业者中芯国际（smic），则不太可能会采用fd-soi制程；jones表示，该公司将注意力集中在量产 high-k金属闸极与多晶矽28纳米制程：“他们做的是市场主流正确选择。”然而他也认为，中国尝试于复杂的finfet制程与台积电竞争，恐怕仍会落 后一大段距离；台积电已经有500位工程师专注于实现finfet设计。
整体看来，要判定finfet、fd-soi与平面半导体制程各自的市场版图还为时过早；jones所能估计的是fd-soi技术整体有效市场（total available market），并非市占率。
fd-soi制程在2017年估计有170亿美元的有效市场，但还不确定实际上能产生多少营收（来源：ibs）
现有的22纳米fd-soi晶圆出货量估计在每月6万~10万片，整体28纳米制程晶圆出货量则为30万片；jones表示，globalfoundries预期在2019年以前不会与客户展开在12纳米fd-soi制程上的合作：“他们应该尝试加快速度。”
而ibs预期，各种不同类型的28纳米制程仍会是市场最大宗，估计到2025年都会维持每月30万片晶圆的产量；在jones出席的上海会议中，有一位三星高层展示了一张投影片，表示该公司认为28纳米会维持比其他节点都低的单电晶体成本。
长期看来，各种型态的28纳米平面电晶体制程仍会是市场主流（来源：ibs）
也就是说，finfet制程还有很大的成长潜力；据说苹果（apple）是采用台积电的16ff+制程生产iphone 7之a10处理器，预期将会继续采用台积电的10纳米finfet制程，生产可能会在明年开始量产iphone 8使用的a11处理器。
jones表示：“apple积极推动明年以10纳米制程生产晶片，以及后年的7纳米制程；而台积电也积极投入资本支出赶上进度──也许还是会延迟一季或两季，但会实现量产。”
ibs 估计，finfet制程的每逻辑闸成本因为其复杂性与较低良率，可能在每个节点都会略微上升；不过jones表示，对此英特尔有不同的观点，表示该公司认 为每个节点的电晶体成本会持续下降：“这需要达到固定良率（constant yields），这是个优良目标但不容易达成，我不知道英特尔的14纳米节点是否已经达到该目标。”
至于台积电则不太可能会采用fd- soi技术，但jones认为该公司绝对会对该制程带来的竞争压力做出回应：“他们或许得积极推动7纳米制程，并提供结合rf、嵌入式非挥发性记忆体，以 及另外采用其昂贵但表现优异的inflo技术制造的i/o功能区块的多晶片解决方案。”
ibs预期，每一代的finfet制程逻辑闸成本将持续上扬（来源：ibs）
编译：judith cheng
（参考原文： chip process war heats up，by rick merritt）
高度传感器获得合资品牌头部车企定点
WSTS并指出，明年(2019年)全球半导体市场虽预估将持续呈现增长
什么是电压驻波比和回波损耗
谷歌DeepMind用AI改进数据排序
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C++调用API函数库接口实现手轮配置
小米改革序幕开启 雷军大刀指向营收目标与接班人
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