NP60P02D6 20V p通道增强模式MOSFET
描述
np60p02d6采用了先进的沟槽技术
提供优良的rds(on)，本设备适用于
用作负载开关或pwm应用。
一般特征
vds = -20v id = -60a
rds(上)(typ) = 3.8ω@vgs = -4.5 v
rds(上)(typ) = 4.4ω@vgs = -2.5 v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
150℃的工作温度
100% ui测试
应用程序
pwm程序
负荷开关
不间断电源
包
pdfn5 * 6-8l-a
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，ta=25℃)
电特性(除非另有说明，ta=25℃)
热特性
答:r qja是用设备安装在1in 2 fr-4单板上2oz测量的。铜，在静止的空气环境中
t = 25°c。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。目前的评级是基于
t≤10s热阻额定值。
b: r qja是从结到引线r qjl和引线到环境的热阻抗之和
董永红：未来市场或将是功能级SoC加可编程DSP
基于S3C44B0的高精度直流开关电源设计
怎么用频谱仪测量微弱信号
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法定计量单位的构成
NP60P02D6 20V p通道增强模式MOSFET
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t = 25°c。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。目前的评级是基于
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