高容量和高性能闪存
高速存储器接口是支持个人计算机、移动电话和数码相机等应用中高速数据的关键组件。这些应用需要高容量和高性能的nand闪存，而toggle2nand是最合适的nand接口之一。
toggle2nand 在没有时钟的情况下使用双倍数据速率 （ddr），但它与传统 sdr nand 中支持的功能和命令兼容。在提供高数据传输速率的同时，分离的dq电压也实现了节能。toggle2nand 支持高达 200 mhz （400 mbps） 的速度，比 sdr nand 提供的数据传输速率 （10 mbps） 快 40 倍以上。
下一代 toggle3nand 支持高达 400 mhz （800 mbps） 的接口速度，比 toggle2nand 闪存 （2 mbps） 提供的数据传输速率快 400 倍。
在我们之前的内存博客中，我们根据过去 5 年与内存供应商和 synopsys vip 早期采用者合作的理解，讨论了 lpddr2 的新功能 – lpddr5：物联网、人工智能和图像处理的带宽、可靠性和功耗增强。在这篇博客中，我们将讨论 toggle3nand/toggle2nand 的基本操作，以及它如何以更低的功耗提供更高的性能。
dqs 信令
切换 2nand 利用双向 dqs 信令高速传输数据。dqs信号表现为时钟，仅在数据传输时使用，从而实现最佳功耗。在 toggle2nand 寻址方案中，使用两种地址类型 – 列地址和行地址。列地址用于访问页面中的字节（即列地址是页面中的字节偏移量）。列地址的最低有效位应始终为零（即始终传输偶数字节）。
平面地址由块地址的最低阶位组成，如上图所示。在 lun 上执行多平面操作时，将使用平面地址。此寻址方案提供更高的数据速率，支持在同一窗口中执行多个操作。
切换2nand页面读取操作
这是从存储设备读取数据的典型示例。读取的数据在 dqs 信号的每个边缘发送，提供 ddr 传输。以下是页面读取操作的威尔第快照和顺序：
控制器发送命令 （00h） 一个page_read命令（用于读取设备数据）
命令 （00h） 后跟地址（{列地址}、{行地址}）
接下来是page_read命令的第二个操作码（30h）
通过取消置位 rb 信号，设备在读取繁忙时间 （tr） 内处于繁忙状态
当 rb 从低切换到高时，每个 dqs 边上的数据开始出现时，将发出操作结束的信号
切换2nand页面程序操作 现在让我们看一下设备内存中的页面程序操作
。以下是页面程序操作的威尔第快照和顺序：
控制器发送命令（80h）page_program命令（用于写入设备数据）
命令 （80h） 后跟地址（{列地址}、{行地址}）
控制器开始在每个 dqs 边缘上发送数据
显示page_program命令的第二个操作码 （10h）
设备通过取消置位 rb 信号在程序繁忙时间 （tprog） 内处于繁忙状态
将数据写入终端存储设备后，将rb从低切换到高
nand 闪存类型 nand 闪存技术主要有三种类型
：
单级单元 （slc）：每个单元存储 1 位，提供最高的耐用性
多级单元 （mlc）：每个单元存储 2 位，提供中等耐用性
三级单元 （tlc）：每个单元存储 3 位，提供最低的耐用性
闪存制造商通过纠错码算法提高了mlc和tlc闪存驱动器的耐用性和可靠性。toggle2nand 支持所有三种类型的技术。
toggle2nand 使用双倍数据速率信号将数据传输到存储器，从而提供更高的数据速率。toggle2nand 设备支持同时读取（即双总线支持）。它还支持对同一芯片上的多个芯片进行编程和擦除操作，以及多 lun 事务。这些功能可提高设备的吞吐量。下一代 toggle3nand 将接口速度进一步提高一倍，达到 400 mhz （800 mbps）。
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命令 （80h） 后跟地址（{列地址}、{行地址}）
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：
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