三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存
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存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代v-nand闪存，三星第9代v-nand闪存超过 300 层；采用双层堆栈架构。
而sk海力士则计划在2025 年上半年量产三层堆栈架构的321层nand 闪存。
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