IGBT通态漂移区少子分布仿真分析
对于对称igbt结构，n基区宽度为200μm，通态集电极电流密度为100acm-2，p+集电区/n基区结处空穴浓度(p0)，计算得到空穴载流子密度。
在n基区中大注入少子寿命为200到0.2µs。对于大注入条件下基区寿命为20μs情况下（在p集电极区的寿命与n基区的寿命成比例），在p+集电区中，电子扩散长度为0.5µm。p集电极区掺杂浓度为1e18cm−3，表面浓度为1e19cm−3。
在p+集电极/n基区结(j1)处空穴浓度较高(如图中的p0所示)，在y=200µm的深p+/n基区结(j2)处空穴浓度降低到零。
当少子寿命降低时，p+集电区/n基区结(j1)的注入空穴浓度(p0)变小。 在少子寿命最小的情况下，即0.2µs，大注入条件在整个n基区中不完全适用，空穴浓度低于虚线所示的掺杂浓度。
在电流密度为100acm−2的条件下，得到不同少子寿命情况下的空穴浓度。大注入下少子寿命为20μs时，自由载流子分布如图所示。在深p+/n基结处，空穴浓度降低到零。栅极下的空穴浓度略有增加。
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在电流密度为100acm−2的条件下，得到不同少子寿命情况下的空穴浓度。大注入下少子寿命为20μs时，自由载流子分布如图所示。在深p+/n基结处，空穴浓度降低到零。栅极下的空穴浓度略有增加。
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