高性能20纳米级NAND闪存存储器
高性能20纳米级nand闪存存储器
samsung电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) nand芯片，用于安全数字(sd)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32 gb mlc nand产品采用尖端技术，扩展samsung公司的存储器卡解决方案,用于智能手机、高端it应用和高性能存储器卡。
与30纳米级 mlc nand相比，samsung的20纳米级 mlc nand提高50%的生产水平。基于20纳米级、8gb和更高密度、sd卡的写入性能比30纳米级 nand提高30%，器件提供10级额定速度（读取速度为20mb/s，写入速度为10mb/s）。通过采用尖端工艺、设计和控制器技术，与30纳米级nand相比，samsung还获得安全可靠的性能。
用20纳米级的存储器卡将提供4gb-64gb的密度。samsung及时推出了其高性能优质nand，支持高密度智能手机、高端it应用和高性能存储器卡的不断增长的存储器要求。
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