为了保护环境,降低功耗已成为全球面临的重大挑战,正因如此,变频器日益广泛用于各类型设备。借助变频器提高能效是重要目标。要求大电流和高功率的应用中通常使用硅(si)igbt,因为在大电流条件下,igbt的饱和电压低于mosfet。然而,igbt在关断过程中的拖尾电流导致损耗增加,限制了其在高速开关中的应用。
基于coolsic™ mosfet的技术,cipos™ maxi ipm im828系列推出全球首款采用压铸模封装的1200 v碳化硅ipm,集成了一个优化的6通道1200v soi栅极驱动器和6个coolsic™ mosfet。作为最小巧、最紧凑的1200v等级封装,这款sic mosfet ipm使用简便,因为其嵌入式soi栅极驱动ic经专门优化,可减小开关振荡。此外,它采用紧凑式封装,得益于使用具备很高热导率的dbc基板,im828-xcc提供的额定功率超过4.8 kw,具有出色的功率密度、可靠性和性能。它针对工业应用进行了优化,例如供暖通风空调(hvac),风扇电机,泵和电机驱动器的功率因数校正。采用先进的电机控制引擎 (mce),无需任何编码即可实现最先进的无传感器磁场定向控制 (foc)。
产品规格:eval-m1-im828-a
相关器件:im828-xcc,imbf170r1k0m1,ice5qsag和ifx25001me v33
►场景应用图►产品实体图►展示板照片►方案方块图►核心技术优势• 1200v 绝缘体上硅(soi) 门极驱动ic
• 集成自举功能
• 过电流保护
• 全通道欠压锁定保护
• 触发保护时六个开关器件全部关闭
• 内置死区时间,防止直通短路
• 独立的热敏电阻用于过温保护
• 当vbs=15v时,允许负vs电势达到-11v
• 独立的热敏电阻用于过温保护
• 三相桥低端开路,适用于单/三电阻相电流采样
• 故障清除时间可调
• 节约系统成本,设计简单
• 投入市场周期短
►方案规格• 输入电压: 380~480vac
• 4.8kw电机功率输出
• 输出电流: 15a/19a (低速)
• emi滤波器
• 默认配置单相分流电流传感
• 直流母线电压检测
• 故障诊断输出
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