Intel大连公司破记录 QLC 3D NAND存储芯片产量突破1000万
自2018年底以来，intel公司的中国大连工厂已经累计生产qlc nand芯片超过1000万个。
英特尔intel大连公司（fab 68）是英特尔全球的第一个存储器芯片工厂，是英特尔全球最先进的存储器生产基地之一，主要产品是英特尔第一代代 3d nand 芯片。
详细信息：
英特尔半导体（大连）有限公司成立于2006年06月06日，注册地位于辽宁省大连经济技术开发区淮河东路。
主要经营范围是：半导体集成电路产品制造、封装测试、加工、仓储、销售自产产品和售后服务；高科技信息领域内的与半导体集成电路产品和技术有关的研发、中试；提供安装、测试、维护、咨询、技术解决方案等技术服务（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动。）
英特尔公司（intel）在2019年4月推出了具有固态存储的英特尔optane内存h10。该产品将optane技术的响应能力与qlc 3d nand技术的m.2存储能力相结合。
英特尔客户ssd战略规划和产品营销总监dave lundell表示：“ 许多人都在谈论qlc技术，但英特尔已经大规模交付了它。” “ 我们已经看到了对独立qlc ssd（英特尔ssd 660p）的高性价比容量以及optane technology + qlc解决方案（intel optane memory h10）的性能的强烈需求。“
相关信息：
intel qlc 3d nand用于 intel ssd 660p， intel ssd 665p和 intel optane memory h10 存储解决方案。；
这些qlc驱动器每个单元具有4位，并以64层和96层nand配置存储数据；
该公司在过去十年中一直在开发这项技术。在2016年，其工程师将业已证明的浮栅（fg）技术的方向更改为垂直，并将其包裹在栅的全方位结构中。最终的tlc技术可以存储384gb /裸片。在2018年，3d qlc闪存成为现实，它具有64个层（每个单元4位），能够存储1，024gb /管芯。在2019年，英特尔迁移到96层，从而降低了总体面密度；
qlc是英特尔总体存储产品组合的一部分，该产品组合包括客户端和数据中心产品。
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详细信息：
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intel qlc 3d nand用于 intel ssd 660p， intel ssd 665p和 intel optane memory h10 存储解决方案。；
这些qlc驱动器每个单元具有4位，并以64层和96层nand配置存储数据；
该公司在过去十年中一直在开发这项技术。在2016年，其工程师将业已证明的浮栅（fg）技术的方向更改为垂直，并将其包裹在栅的全方位结构中。最终的tlc技术可以存储384gb /裸片。在2018年，3d qlc闪存成为现实，它具有64个层（每个单元4位），能够存储1，024gb /管芯。在2019年，英特尔迁移到96层，从而降低了总体面密度；
qlc是英特尔总体存储产品组合的一部分，该产品组合包括客户端和数据中心产品。
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