STM32L0芯片FLASH编程简单演示
这里就stm32l053芯片的flash编程做个简单演示并做些提醒，以供有需要的人参考。
一般来讲，flash编程主要包括擦除、代码编程、option字修改操作，关于option编程下面不做介绍。stm32l0芯片的擦除除了支持全片擦除外，再就是支持页擦除，每页的大小为128bytes，即32个字。编程可以按字或按半页【64bytes】编程。单页擦除、单字编程以及半页编程的时间都是一样的，大概3.2ms左右，这点在芯片数据手册上也明确出来了。
这里提醒两点。第一点，在做擦除或编程时，要注意地址对齐的问题，页擦除时地址要128字节对齐，字编程注意4字节对齐，半页编程时注意64字节对齐。还有一点就是做半页编程时，半页编程的执行代码要放到ram里进行，这点手册也强调了。
下面演示字编程、页编程、页擦除的操作。这里我先以字编程模式写5个字，然后以半页编程模式对5个半页进行flash编程，并记录二者所花的时间，看看字编程时间跟半页编程的是否一致。另外，在完成5个半页编程之后，又进行了页擦除操作，擦除刚才已编程的5个半页中的1页，即最后应只剩下3个半页的内容【注：对于stm32l0系列芯片，内部flash被擦除后内容为全0】。
下面代码截图是基于stm32cube库来组织的，主要涉及到字编程、半页编程、页擦除三个操作，对应着绿色下划线的3个库函数。
其中，半页编程的执行代码需配置到ram里去运行。另外，period1和period2分别来存放写5个字和5个半页的编程时间，并放在指定的flash位置。编译运行后我们可以看到如下结果：
上面截图是经过运行后芯片内部的部分flash空间的内容。5个红色方框围住的数据乃5个字编程后的结果，蓝色方框内的数据乃5次半页编程后的结果，但最终只看到3个半页的编程内容，那是因为后面两个半页的内容经页擦除操作后而消失了。
用来统计编程时间的定时器的计数频率为1mhz，显然period1和period2基本是相等的，将它们再除以5后所得编程时间都是3.3ms的样子。显而易见，进行批量代码编程时采用半页编程更高效。
前面说了做半页编程时其执行代码需放到ram运行，该代码在stm32cube库的这个文件stm32l0xx_hal_flash_ramfunc.c里面。实现该操作对于不同的ide在处理上稍有差异。这里基于arm mdk进行简单配置，划分点ram出来给它用。
关于stm32l0系列flash编程的演示就介绍到这里，愿能帮到有需之人以节省些时间和精力。
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这里提醒两点。第一点，在做擦除或编程时，要注意地址对齐的问题，页擦除时地址要128字节对齐，字编程注意4字节对齐，半页编程时注意64字节对齐。还有一点就是做半页编程时，半页编程的执行代码要放到ram里进行，这点手册也强调了。
下面演示字编程、页编程、页擦除的操作。这里我先以字编程模式写5个字，然后以半页编程模式对5个半页进行flash编程，并记录二者所花的时间，看看字编程时间跟半页编程的是否一致。另外，在完成5个半页编程之后，又进行了页擦除操作，擦除刚才已编程的5个半页中的1页，即最后应只剩下3个半页的内容【注：对于stm32l0系列芯片，内部flash被擦除后内容为全0】。
下面代码截图是基于stm32cube库来组织的，主要涉及到字编程、半页编程、页擦除三个操作，对应着绿色下划线的3个库函数。
其中，半页编程的执行代码需配置到ram里去运行。另外，period1和period2分别来存放写5个字和5个半页的编程时间，并放在指定的flash位置。编译运行后我们可以看到如下结果：
上面截图是经过运行后芯片内部的部分flash空间的内容。5个红色方框围住的数据乃5个字编程后的结果，蓝色方框内的数据乃5次半页编程后的结果，但最终只看到3个半页的编程内容，那是因为后面两个半页的内容经页擦除操作后而消失了。
用来统计编程时间的定时器的计数频率为1mhz，显然period1和period2基本是相等的，将它们再除以5后所得编程时间都是3.3ms的样子。显而易见，进行批量代码编程时采用半页编程更高效。
前面说了做半页编程时其执行代码需放到ram运行，该代码在stm32cube库的这个文件stm32l0xx_hal_flash_ramfunc.c里面。实现该操作对于不同的ide在处理上稍有差异。这里基于arm mdk进行简单配置，划分点ram出来给它用。
关于stm32l0系列flash编程的演示就介绍到这里，愿能帮到有需之人以节省些时间和精力。
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