纳芯微推出全新带弥勒钳位功能的高可靠性隔离单管驱动NSi6601M
nsi6601m是单通道隔离式栅极驱动器，适用于驱动sic，igbt和mosfet等功率管的多种应用场景。它具有很强的驱动能力，可以提供5a/5a的拉灌电流峰值电流。同时它具备了弥勒钳位功能，可以抑制因为弥勒效应带来的管子的误开通，确保系统的可靠性。最低150kv/μs共模瞬变抗扰度（cmti）确保了系统鲁棒性。驱动器的最大电源电压vcc2为32v，输入侧vcc1为3v至17v电源电压供电。vcc1和vcc2都具有欠压保护（uvlo）。nsi6601m具有高驱动电流，出色的耐用性，宽广的电源电压范围和快速信号传播，适用于高可靠性，高功率密度和高效率开关电源系统。
应用场景
- 汽车电源、obc/dcdc
- 空调压缩机、工业电机驱动
- 高效高密度工业、通信、服务器电源
- 光伏、储能、ups等
产品特性
1. 具有很强的驱动能力，可提供5a/5a的拉灌电流峰值电流
2. 集成弥勒钳位功能，钳位电流高达5a，有效抑制因为弥勒效应致使管子误开通，确保了系统的可靠性
3. 超高的共模抗扰能力：150 kv/us
4. 驱动器侧电源电压vcc2最大为32v，输入侧vcc1为3.1v至17v电源电压供电；vcc1和vcc2都具有欠压保护（uvlo）
5. 符合 rohs 标准的封装类型：sop8，sow8
6. 工作环境温度：-40℃ ~ 125℃
7. 符合 rohs 标准的封装类型：sow16
nsi6601m：有效解决高压高频系统中高dv/dt
随着第三代半导体sic mosfet的兴起，更高压、更高频、更小体积、更大功率的系统正成为新的发展趋势。然而在高压高频的应用中系统在运行过程中却总是容易因为dv/dt过高，导致功率管子被烧坏。nsi6601m则能很好解决这一问题。
案例详解
简化应用电路图
使用上图电路图作为例子说明。当下管q2处于关闭状态，这时上管q1正在打开，此时sw处会产生dv/dt。在母线电压(dc bus)越高，开关频率越快的系统中，sw处的dv/dt就会越大。由于下管q2有寄生电容cgd，也称弥勒电容，通过i=cgd * dv/dt，可以知道，系统产生dv/dt 通过cgd 会产生一定的电流，电流方向从sw往下管q2的gate 方向流入，由于gate 有一定阻抗，电流乘以阻抗就会在下管q2的gate 产生电压，当dv/dt 足够大，gate产生电压会高于管子的开通电压，会导致下管q2误开通，因为此时上管正在开通，会造成上下管短路，烧毁管子。
所以在高频、高压的应用中，系统对驱动ic提出了新的挑战。而使用nsi6601m很好解决上述的痛点。因为nsi66001mc集成弥勒钳位功能，nsi6601m会检测到gate电压的变化，当gate产生的电压高压2v时，nsi6601m内部将弥勒钳位功能开启，将dv/dt 通过cgd产生的电流以最小阻抗路径释放到vee，在gate电压钳位到足够低的电压，防止下管q2误开通。
除此之外，nsi6601m隔离耐压高，宽体sow8封装vpk 高达2121v，同时cmti抗干扰能力超过150kv/us。所以nsi6601m非常适合高频、高压、高可靠性的应用场景，符合电源行业发展的趋势。同时，由于使用纳芯微比较成熟的工艺和ip，nsi6601m具有非常好的性价比，广受市场的欢迎。
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1. 具有很强的驱动能力，可提供5a/5a的拉灌电流峰值电流
2. 集成弥勒钳位功能，钳位电流高达5a，有效抑制因为弥勒效应致使管子误开通，确保了系统的可靠性
3. 超高的共模抗扰能力：150 kv/us
4. 驱动器侧电源电压vcc2最大为32v，输入侧vcc1为3.1v至17v电源电压供电；vcc1和vcc2都具有欠压保护（uvlo）
5. 符合 rohs 标准的封装类型：sop8，sow8
6. 工作环境温度：-40℃ ~ 125℃
7. 符合 rohs 标准的封装类型：sow16
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所以在高频、高压的应用中，系统对驱动ic提出了新的挑战。而使用nsi6601m很好解决上述的痛点。因为nsi66001mc集成弥勒钳位功能，nsi6601m会检测到gate电压的变化，当gate产生的电压高压2v时，nsi6601m内部将弥勒钳位功能开启，将dv/dt 通过cgd产生的电流以最小阻抗路径释放到vee，在gate电压钳位到足够低的电压，防止下管q2误开通。
除此之外，nsi6601m隔离耐压高，宽体sow8封装vpk 高达2121v，同时cmti抗干扰能力超过150kv/us。所以nsi6601m非常适合高频、高压、高可靠性的应用场景，符合电源行业发展的趋势。同时，由于使用纳芯微比较成熟的工艺和ip，nsi6601m具有非常好的性价比，广受市场的欢迎。
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