英飞凌推出采用创新芯片嵌入式封装技术的新一代DrMOS器件DrBlade
2013年3月27日，北京——英飞凌科技股份公司 （fse代码：ifx/ otcqx代码：ifnny）近日在2013应用电力电子会议暨展览会（apec）中宣布推出drblade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了dc/dc 驱动器及mosfet vr功率级。drblade包含最新一代低压dc/dc驱动器技术及optimos™ mosfet器件。该mosfet 技术拥有最低的单位面积导通阻抗及针对应用优化的品质因数，能达到最高的dc/dc调压系统效率，适用于计算及电信应用，包括刀片服务器和机架服务器、pc主板、笔记本电脑和游戏机等。
全新blade封装技术
英飞凌创新的blade封装技术，采用芯片嵌入概念，使用电镀制程取代标准的封装制程，例如邦线、夹焊以及常见的模制技术。此外，芯片也以叠层薄片进行保护。其结果是大幅缩小封装体积、降低封装电阻及电感，同时还降低热阻。
英飞凌低压功率转换产品资深总监richard kuncic表示：“英飞凌是业界第一家推出采用blade技术的集成了驱动器及mosfet半桥的半导体公司。drblade的推出可提升服务器应用在全负载范围的效率，再度证明我们在功率半导体领域的领导地位。”
节省空间，提高效率
drblade封装面积为5x5mm，高度仅为0.5mm，可满足计算系统对于更高功率密度及节省空间的需求。drblade拥有优化的引脚规划，可简化pcb布局。采用全新的芯片嵌入式封装技术，再结合英飞凌的optimos mosfet，这使drblade成为低压市场的最佳稳压解决方案。
上市时间与定价
drblade样品已开始提供，并于2013年第二季度量产。
关于英飞凌全新blade系列产品的更多信息，请访问： www.infineon.com/drblade。
关于英飞凌
总部位于德国纽必堡的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、移动性和安全性提供半导体和系统解决方案。2012财年（截止到9月30日），公司实现销售额39亿欧元，在全球拥有约26，700名雇员。英飞凌科技公司的业务遍及全球，在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。英飞凌公司目前在法兰克福股票交易所（股票代码：ifx）和美国柜台交易市场（otcqx）international premier（股票代号：ifnny）挂牌上市。
英飞凌在中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。自1996年在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约1960名员工（截止到2012年9月30日），已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
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上市时间与定价
drblade样品已开始提供，并于2013年第二季度量产。
关于英飞凌全新blade系列产品的更多信息，请访问： www.infineon.com/drblade。
关于英飞凌
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