STM32的三种低功耗模式介绍
接下来我们就详细的看一下这三者有何区别。
1、睡眠（sleep）模式
● 进入睡眠模式
进入睡眠模式有两种指令：wfi（等待中断）和wfe（等待事件）。根据cortex-m内核的scr（系统控制）寄存器可以选择使用立即休眠还是退出时休眠，当 scr 寄存器的 sleeponexit（bit1）位为 0 的时候使用立即休眠，当为 1的时候使用退出时休眠。
cmsis（cortex 微控制器软件接口标准）提供了两个函数来操作指令 wfi 和 wfe，我们可以 直接使用这两个函数：__wfi和__wfe。freertos 系统会使用 wfi 指令进入休眠模式。
● 退出休眠模式
如果使用 wfi 指令进入休眠模式的话那么任意一个中断都会将 mcu 从休眠模式中唤醒，如果使用 wfe指令进入休眠模式的话那么当有事件发生的话就会退出休眠模式，比如配置一个 exit 线作为事件。
当 stm32f103 处于休眠模式的时候 cortex-m3 内核停止运行，但是其他外设运行正常，比如 nvic、sram等。休眠模式的功耗比其他两个高，但是休眠模式没有唤醒延时，应用程序可以立即运行。
2、停止（stop）模式
停止模式基于 cortex-m3 的深度休眠模式与外设时钟门控，在此模式下 1.2v 域的所有时钟都会停止，pll、hsi 和 hse rc振荡器会被禁止，但是内部 sram 的数据会被保留。调压器可以工作在正常模式，也可配置为低功耗模式。如果有必要的话可以通过将 pwr_cr 寄存器的fpds位置 1 来使 flash 在停止模式的时候进入掉电状态，当 flash 处于掉电状态的时候mcu从停止模式唤醒以后需要更多的启动延时。停止模式的进入和退出如表所示：
3、待机（standby）模式
相比于前面两种低功耗模式，待机模式的功耗最低。待机模式是基于 cortex-m3 的深度睡眠模式的，其中调压器被禁止。1.2v 域断电，pll、hsi振荡器和 hse 振荡器也被关闭。除了备份区域和待机电路相关的寄存器外，sram 和其他寄存器的内容都将丢失。待机模式的进入和退出如表所示：
退出待机模式的话会导致 stm32f1 重启，所以待机模式的唤醒延时也是最大的。实际应用中要根据使用环境和要求选择合适的待机模式。
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● 退出休眠模式
如果使用 wfi 指令进入休眠模式的话那么任意一个中断都会将 mcu 从休眠模式中唤醒，如果使用 wfe指令进入休眠模式的话那么当有事件发生的话就会退出休眠模式，比如配置一个 exit 线作为事件。
当 stm32f103 处于休眠模式的时候 cortex-m3 内核停止运行，但是其他外设运行正常，比如 nvic、sram等。休眠模式的功耗比其他两个高，但是休眠模式没有唤醒延时，应用程序可以立即运行。
2、停止（stop）模式
停止模式基于 cortex-m3 的深度休眠模式与外设时钟门控，在此模式下 1.2v 域的所有时钟都会停止，pll、hsi 和 hse rc振荡器会被禁止，但是内部 sram 的数据会被保留。调压器可以工作在正常模式，也可配置为低功耗模式。如果有必要的话可以通过将 pwr_cr 寄存器的fpds位置 1 来使 flash 在停止模式的时候进入掉电状态，当 flash 处于掉电状态的时候mcu从停止模式唤醒以后需要更多的启动延时。停止模式的进入和退出如表所示：
3、待机（standby）模式
相比于前面两种低功耗模式，待机模式的功耗最低。待机模式是基于 cortex-m3 的深度睡眠模式的，其中调压器被禁止。1.2v 域断电，pll、hsi振荡器和 hse 振荡器也被关闭。除了备份区域和待机电路相关的寄存器外，sram 和其他寄存器的内容都将丢失。待机模式的进入和退出如表所示：
退出待机模式的话会导致 stm32f1 重启，所以待机模式的唤醒延时也是最大的。实际应用中要根据使用环境和要求选择合适的待机模式。
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