高通与三星签约，骁龙芯片将基于三星7nm EUV工艺打造
三星官网发布新闻稿，三星、高通宣布扩大晶圆代工业务合作，包含高通下一代5g移动芯片，将采用三星7纳米lpp（low-power plus）极紫外光（euv）制程。
新闻稿指出，通过7纳米lpp euv工艺，骁龙（snapdragon）5g芯片组可减少占位空间，让oem厂有更多使用空间增加电池容量或做薄型化设计。除此之外，结合更先进芯片设计，将可明显增进电池续航力。
该合作计划将长达十年，三星将授权“euv光刻工艺技术”给高通使用，其中包括使用三星7纳米lpp euv工艺技术制造未来的snapdragon 5g移动芯片组。
去年五月，三星推出了首款使用euv光刻解决方案的半导体工艺技术7lpp euv，预期可借此突破摩尔定律的扩展障碍，为单纳米半导体技术的发展铺平道路。对照10纳米finfet制程，三星的7纳米lpp euv工序较少、良率较高，而且面积效率提高40%，性能提高10%，功耗降低35%。
另外，三星位于华城市（hwaseong）的7纳米厂本周五将动土，预计最快明年量产，但预料赶不上当年度galaxy s10与note 10的上市时程。
韩国媒体20日报道称，三星计划投入6兆韩圜（相当于56亿美元）升级晶圆产能。位于华城市的晶圆新厂将安装超过10台euv光刻设备，由于每台euv设备要价皆多达1，500亿韩圜，因此仅采购机台费用就达到3～4兆韩圜。此外三星6nm晶圆厂的建设计划，也将在近期公布。
相较之下，台积电今年已开始试产7nm芯片，预定第2季为联发科推出芯片原型，并于明年初开始全力量产。
台积电采用5nm先进制程的12寸晶圆厂今年1月26日正式动土，预计第一期厂房明年第一季即可完工装机、2020年年初进入量产。台积电公告指出，待2022年第一、二、三期厂房皆进入量产时，年产能预估可超过100万片十二寸晶圆。
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