半桥LLC电路中功率管驱动的尖峰
如图19所示，当上管关断后，在上管的驱动vg1上出现一个电压尖峰，当死区时间减少，下管zvs开通不完全时，这个电压尖峰会更大，从图20可以看出这个尖峰出现的时刻和vds1下降的时间是吻合的。
图19 上管关断时vg1的电压尖峰
图20 上管关断时vg1和vds1波形
我们将模块上下管用其结构示意图来表示，功率管的d，s极都存在引线电感，而且还有pcb板引入的到s脚的引线电感，我们测试时，测试到的是g1和s1间的电压差vgs1。
当上管关断时，ho为低电平（驱动电路见图1），cgs1通过q305组成的电路放电（等效电阻zg1s），放到门限电压时，mosfet关断，此时上下管开始换流，电流 i1减少，i2增加，电感的电流方向如图所示，电容cds1开始充电，vds1上升；cgd1，cgs1，以及g1到s的驱动阻抗zg1s，l2，l3组成的电路也开始对cgd1，充电，所以cgs1电压开始上升， 测试到的电压
（引线电感的电压上正下负为正方向），
如果由于死区时间的减少，造成下管不能完全的zvs开通，在下管开通的瞬间，就会有一个较大的冲击电流流过q1和q2的极间电容和引线电感，在cgs1行成一个更高的密勒平台，同时在引线电感l2，l3上造成一个上正下负的电压降，这个电压降叠加在密勒平台上，使驱动vg1s1的电压尖峰更高。
同时：也可以看到，
，如果驱动阻抗越大，vg1s就越大，测试到的电压尖峰也就越大，引线电感l3越大，测试到的电压尖峰也会越大。而功率管是否会导通取决于cgs1
的电压和持续的时间：
从上面的公式可以看出，如果能让上管关断时
尽可能的减少，就可以降低功率管导通的风险，同时尽量减少功率管g，d之间的耦合电容也可以减少cgs1上的电压。
图21 半桥电路上下管结构示意图
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