今天我们一起来讨论一下用来升压的 电荷泵电路 (charge pump),也称为 开关电容转换器 (switched capacitor converter)。老粉丝都知道,公众号很久之前就发布了一篇阐述电感、电容、二极管构成的boost升压方案的文章,那为什么还要讨论电荷泵方案的升压电路呢?它有什么优势呢?为什么在实际应用中很少看到单独的电荷泵升压芯片呢?
为了解答这些问题,我们先来分析一下最简单的2倍压电荷泵升压电路的工作原理,相应的基本结构如下图所示:
vdd为输入供电电源,cf为浮置电容(floating capacitor,默认状态下未与任何网络连接),cl为负载电容(load capacitor),开关s 1 ~s4可以由场效应管构成,它们由两路互补的时钟信号clk1与clk2控制,如下图所示
假设在初始状态下,cf与cl均没有存储电荷,且 时钟为高电平时相应的开关闭合,为低电平时相应的开关断开 。
当t1时刻到来时,开关s 1 、s4闭合,s 2 、s3断开,此时vdd对cf快速充电,充满电后cf两端的电压为v dd ,其极性为上正下负,而vout暂时还没有电压,如下图所示:
当t2时刻到来时,开关s 1 、s4断开,s 2 、s3闭合,此时vdd与cf两端的电压串联叠加给vout供电,其值为2v dd ,cl两端的电压也会被充电至2v dd ,如下图所示:
当t3时刻到来时,由cl给vout提供2vdd的电压,vdd继续给cf充电以补充转移到cl中的电荷,这就是2倍压电荷泵的基本原理。
当然,以上分析过程是在理想条件下进行的,我们假定电容充电常数为0,放电常数为无穷大。实际上,由于电源内阻、开关导通电阻、负载等因素的存在,cf与cl的充电速度总是有限的,不可能一瞬间就能将电容充满电。
换句话说,cf储存的电荷量会随着时钟周期的增加而越来越多,从cf转移到cl的电荷也会逐渐增加,而且由于损耗的存在,输出电压也达不到理想值。
我们可以使用multisim软件平台仿真一下2倍压电荷泵电路,相应的仿真电路如下图所示(v dd =5v,c f =c l =4.7uf,电源内阻为10欧姆,负载电阻为100k欧姆,频率为20khz)
负载rl两端的电压即为电荷泵仿真电路的输出电压,相应的波形如下图所示:
可以看到,电荷泵电路在实际工作时,vout上升期间总会定期地下降一点点,因为vout通常也是需要连接负载的。在cf充电期间,cl总是会因为放电行为而有所下降,我们称其为纹波(ripple)。理论上,cl的电容量越大,则vout的纹波也就越小,这当然是一件美好的事情,但是cl容量越大,充放电时间常数也会变大,这会降低电路的反应速度,因为输出需要更长的时间才能上升到所需电压。
电荷泵电路的缺点是 带负载能力并不强 (相对于boost架构),所以单纯的电荷泵芯片应用场合并不多,但是由于电荷泵方案不需要使用电感器,这在集成芯片中有非常大的优势。稍微了解集成电路制造工艺的粉丝都会知道, 电感器是很难集成到芯片中的 ,所以电荷泵方案作为芯片中某部分功能的场合应用会非常多,最经典的集成电荷泵方案的芯片就是 max232 ,它可以将ttl/cmos电平(0v为逻辑“0”,5v为逻辑“1”)转换为rs232电平标准(+3v +15v为逻辑0,-3v -15v为逻辑1),具体来说是由两个电荷泵电路完成的,其中之一将+5v升压到+10v,另外一个则将+10v转换为-10v,后续有机会我们再结合数据手册详细讨论其电路设计过程。
电荷泵升压方案在lcd(或oled、epd,本文不涉及)驱动芯片中也很常见,主要用来给偏压电路提供高压或驱动电源,经典的sed1565、st7920、pcd8544、ssd1773、ili9341等等lcd驱动芯片都集成了电荷泵电路,下图为sed1565的电荷泵方案应用时的电路连接,可以实现2、3、4倍压。
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为什么要讨论用来升压的电荷泵电路呢?
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