PIC16C5X单片机的状态寄存器
4.状态寄存器f3
该寄存器包含有alu的算术状态位，reset状态位、大于512字节程序存储器的页面预选位。
状态寄存器f3可以用作目标寄存器。某些标志位通过相应的写来设定，而另外一些位是不能通过指令来改变的。to、pd位是不可写的。因此一条指令对状态寄存器执行的结果会有所不同。例如clr f3被除了to和pd位之外的所有位清“0”，并把“z”位置“1”，所以得到的状态寄存器内容为“000uu100”，其中，u表示不变化。
建议用bcf、bsf或movwf指令来改变状态寄存器的内容，这些指令只改变相应的位，而不影响其它状态位。
其它影响状态位的指令可参考指令系统的说明。
状态寄存器包含8位数据位，其中低5位是状态标志位，高3位中的最高位pa2未用。pa0和pa1是存储器页面选择位，其结构如下表所示。
表1 状态寄存器的结构
pa2 pa1 pa0 to pd z dc c
d7 d6 d5 d4 d3 d2 d1 d0
下面我们介绍各位的意义。
[1].c(d0)：进位/借位标志位。在执行addwf和subwf指令时，最高位产生进位或借位时，c=“1”，在减法采用补码运算。
[2].dc(d1)：辅助进位位。当执行addwf和subwf指令时，低4位产生进位或借位时，dc=“1”。
[3].z(d2)：零标志位。当算术操作结果为0时，z=1。
[4].pd(d3)：低功耗标志位。上电或执行clr wdt指令时，pd=“1”。执行sleep指令时，pd=“0”。
[5].to(d4)：wdt溢出标志位。当上电或执行clr wdt、sleep指令时，to=“1”，wdt溢出时，to=“0”。
[6].pa0,pa1(d5,6)：程序存储器页面选择位。对于pic16c56单片机，pa0是程序存储器页面选择位。pa1是通用读写位。在pa=0时，选择0页面，即000h-1ffh。pa0=1时，选中1页，地址为200h-3ffh。
对于pic16c57/58单片机，pa0、pa1是程序存储器页面选择位。它们的值从00-11h分别选中0-3页，即地址为000-1ffh、200h-3ffh、400h-5ffh、600h-7ffh。
[7].pa2(d7)：通用读写位，未使用。
在复位时，pa2，pa1，pa0被清“0”，上电或执行clr wdt指令时，to、pd都被置“1”，这两位的变化如表2所示。上电复位时，z、dc、c标志位状态不定。在其它复位情况下（如wdt溢出）z、dc、c状态不变。上电复位to、pd的状态见表3。
表2 事件对to、pd标志位的影响
事件 to pd 说明
上电 1 1 不影响pd标志位
wdt超时溢出 0 x
sleep指令 1 0
clr wdt指令 1 1
表3 复位后to、pd标志位的状态
to pd 复位原因
0 0 wdt超时溢出使sleep唤醒
0 1 wdt超时溢出（不在sleep状态时）
1 0 mclr加低电平使sleep唤醒
1 1 上电时
x x mclr加低电平
addwf指令后，进位位c=1表示产生进位，执行subwf指令后，进位位c=0表示借位，执行addwf或subwf指令也将影响辅助进位位dc状态。dc表示低半字节到高半字节的进位和借位。
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建议用bcf、bsf或movwf指令来改变状态寄存器的内容，这些指令只改变相应的位，而不影响其它状态位。
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状态寄存器包含8位数据位，其中低5位是状态标志位，高3位中的最高位pa2未用。pa0和pa1是存储器页面选择位，其结构如下表所示。
表1 状态寄存器的结构
pa2 pa1 pa0 to pd z dc c
d7 d6 d5 d4 d3 d2 d1 d0
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[1].c(d0)：进位/借位标志位。在执行addwf和subwf指令时，最高位产生进位或借位时，c=“1”，在减法采用补码运算。
[2].dc(d1)：辅助进位位。当执行addwf和subwf指令时，低4位产生进位或借位时，dc=“1”。
[3].z(d2)：零标志位。当算术操作结果为0时，z=1。
[4].pd(d3)：低功耗标志位。上电或执行clr wdt指令时，pd=“1”。执行sleep指令时，pd=“0”。
[5].to(d4)：wdt溢出标志位。当上电或执行clr wdt、sleep指令时，to=“1”，wdt溢出时，to=“0”。
[6].pa0,pa1(d5,6)：程序存储器页面选择位。对于pic16c56单片机，pa0是程序存储器页面选择位。pa1是通用读写位。在pa=0时，选择0页面，即000h-1ffh。pa0=1时，选中1页，地址为200h-3ffh。
对于pic16c57/58单片机，pa0、pa1是程序存储器页面选择位。它们的值从00-11h分别选中0-3页，即地址为000-1ffh、200h-3ffh、400h-5ffh、600h-7ffh。
[7].pa2(d7)：通用读写位，未使用。
在复位时，pa2，pa1，pa0被清“0”，上电或执行clr wdt指令时，to、pd都被置“1”，这两位的变化如表2所示。上电复位时，z、dc、c标志位状态不定。在其它复位情况下（如wdt溢出）z、dc、c状态不变。上电复位to、pd的状态见表3。
表2 事件对to、pd标志位的影响
事件 to pd 说明
上电 1 1 不影响pd标志位
wdt超时溢出 0 x
sleep指令 1 0
clr wdt指令 1 1
表3 复位后to、pd标志位的状态
to pd 复位原因
0 0 wdt超时溢出使sleep唤醒
0 1 wdt超时溢出（不在sleep状态时）
1 0 mclr加低电平使sleep唤醒
1 1 上电时
x x mclr加低电平
addwf指令后，进位位c=1表示产生进位，执行subwf指令后，进位位c=0表示借位，执行addwf或subwf指令也将影响辅助进位位dc状态。dc表示低半字节到高半字节的进位和借位。
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