IGBT模块的额定值和特性介绍
举例说明igbt的额定值和特性：
最大额定值 tc=25℃：
如果施加超过额定值的负载。会立即损坏元件或降低元件的可靠性。请遵照规格书额定值进行设计，举例如图：
vces：门极-发射极间处于短路状态时集电极-发射极之间的电压
vges：集电极-发射极间处于短路状态时门极-发射极之间的电压
集电极电流：集电极上容许的最大直流或脉冲电流
集电极损耗：一个igbt构成单元的最大集电极损耗。此模块由两个igbt构成，该数值为各个igbt的额定值。
结温：igbt芯片可连续工作的温度范围
保存温度：在没有施加电负荷状态下，可存放或运送的温度范围
绝缘强度：所有电极全部处于短路状态时，可在电极-基板间施加的最大电压
安装扭矩：使用指定螺丝时的最大安装扭矩
电特性（一个igbt构成单元） tc=25℃
ices：门极-发射极间处于短路状态时集电极-发射极之间的漏电电流
iges：集电极-发射极间处于短路状态时门极-发射极之间的漏电电流
vce(sat)：igbt 通态损耗的尺度，与二极管的正向压降、scr的导通压降、mosfet的导通阻抗相对应。
vge(th)：igbt开始导通时的门极电压
cies：门极-发射极之间的电容
开关时间的定义：
最大开关时间解析
超快恢复整流二极管的最大额定值和电特性（以一个二极管为单位） tc=25℃
正向电流：内置超快恢复整流二极管上容许的最大直流或脉冲电流
正向电压：有指定正向电流流动时的内置二极管的正向压降
反向恢复时间：直至内置二极管恢复反向截止状态所需要的时间
热特性
热阻：内置的各igbt或二极管的热阻
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vges：集电极-发射极间处于短路状态时门极-发射极之间的电压
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集电极损耗：一个igbt构成单元的最大集电极损耗。此模块由两个igbt构成，该数值为各个igbt的额定值。
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iges：集电极-发射极间处于短路状态时门极-发射极之间的漏电电流
vce(sat)：igbt 通态损耗的尺度，与二极管的正向压降、scr的导通压降、mosfet的导通阻抗相对应。
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