纳米图形衬底对AlGaN基深紫外LED中光子输运的影响

图形化蓝宝石衬底已经在可见光led领域得到广泛的应用,其优势在于它不仅能有效改善外延生长质量,还可以提高led的光提取效率。基于先进的半导体仿真设计平台,我司技术人员开发出了纳米图形衬底(npss)上的深紫外led(duv led)的计算模型。研究发现:npss能够提高duv led中横向传播的tm极性光的光提取效率,但会抑制偏向垂直传播的te极性光的光提取效率(如图1所示)。造成这种现象的原因是,当duv led中采用npss结构时,npss会把部分横向传播的光散射到垂直传播方向,也会把部分垂直传播的光散射到横向传播方向,这些被散射到横向传播方向的光将直接被底部的p-gan欧姆接触层所吸收。因此在duv led中,npss对具有不同传播特性的te极性光和tm极性光会产生完全对立的效果。
图1
为了解决上述问题,并充分利用npss的散射效应提高duv led的光提取效率,技术人员进一步提出改进措施:即针对具有npss的duv led,建议采用具有图形化p-gan欧姆接触,从而减少材料的自吸收效应。研究结果表明:npss与图形化p-gan技术的结合可以充分利用npss的散射作用,同时提高duv led中tm极性光和te极性光的光提取效率(如图2所示)。该研究成果为进一步推广npss在duv led中的应用提供了强有力的理论支撑。
图2
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