台积电推出业界首个智能手机/平板电脑芯片优化
台积电在近日举行的台积电2011技术研讨会上推出了业界首个专为智能手机、平板电脑芯片优化的制程工艺。
台积电研发部高级副总裁蒋尚义(shang-yi chiang)表示，新制程技术隶属于28纳米工艺，名为28hpm(高性能移动制程工艺)，专为智能机、平板电脑及其相关产品的芯片设计。
台积电新制程工艺可能是为苹果产品而设计，此前有传闻称台积电将为苹果代工下一代a5处理器芯片。除苹果外，台积电还可能将新工艺用于智能机和平板电脑领域的其他厂商产品，比如英伟达、高通。当被问及28hpm工艺是否专为单一客户而设计时，蒋尚义表示新工艺适用于基于arm架构的处理器芯片。
台积电目前拥有3种28纳米制程工艺：第一种是基于硅氧化物栅层叠(gate-stack)技术的低功耗cln28lp工艺;另外两种则是基于第一代hkmg(high-k绝缘层+金属栅极)工艺技术，一个是低功耗cln28hpl工艺，另外一种是高性能cln28hp工艺。
蒋尚义称，台积电的hkmg技术已经通过了完全可能性认证，并正向两家客户出货晶圆原型品。他还否认了业界关于台积电28纳米技术延期的报道，蒋尚义说：“我们没有耽误任一客户。”
在进入20纳米工艺之前，台积电还将推出另外一种28纳米工艺cln28hpm。新工艺同样基于第一代hkmg技术，它可使得应用处理器和相关产品的主频远高于1.8ghz(功耗440毫瓦)。
和其它28纳米工艺一样，cln28hpm核心电压在0.9伏，可支持1.8伏、2.5伏的i/o电压，将于今年四季度量产。台积电还再次提到了此前宣布的几种20纳米制程，这包括cln20g(20纳米通用制程)和cln20soc，它们均基于台积电hkmg制程，其中cln20g定于 2012年第四季度试产，而cln20soc则定于2013年第二季度试产。
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和其它28纳米工艺一样，cln28hpm核心电压在0.9伏，可支持1.8伏、2.5伏的i/o电压，将于今年四季度量产。台积电还再次提到了此前宣布的几种20纳米制程，这包括cln20g(20纳米通用制程)和cln20soc，它们均基于台积电hkmg制程，其中cln20g定于 2012年第四季度试产，而cln20soc则定于2013年第二季度试产。
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