格芯交付性能领先的7纳米FinFET技术在即
加利福尼亚，圣克拉拉（2017年6月14日）—— 格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的（7lp）finfet半导体技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪，基于7lp技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出，并将于2018年下半年实现量产。
2016年9月，格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀，来研发自己7纳米finfet技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7lp技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米finfet技术的产品相比，预计面积将缩小一半，同时处理性能提升超过40%。目前，在格芯位于纽约萨拉托加县的全球领先的fab 8晶圆厂内，该技术已经做好了为客户设计提供服务的准备。
格芯cmos业务部高级副总裁gregg bartlett先生表示：“我们的7纳米finfet技术正在按计划进行开发。我们看到，格芯在2018年计划出厂的多样化产品对客户有着强大吸引力。在推动7纳米芯片于未来一年中实现市场化的同时，格芯正在积极开发下一代5纳米及其后续的技术，以确保我们的客户能够在最前沿领域内获取世界级的技术蓝图。”
格芯还将持续投资下一代技术节点的研究与开发。通过与合作伙伴ibm和三星的密切合作，2015年格芯便宣布推出7纳米测试芯片。此后，格芯又于近日宣布业内首款基于硅纳米片晶体管的5纳米的样片。目前，格芯正在探索一系列新的晶体管架构，以帮助其客户迈进下一个互联的智能时代。
格芯的7纳米finfet技术充分利用了其在14纳米finfet技术上的批量制造经验，该技术于2016年初2月8日在fab 8晶圆厂中开始生产。自那时起，格芯已为广泛的客户提供了“一次成功”的设计。
为了加快7lp的量产进程，格芯正在持续投资最新的工艺设备能力，包括在今年下半年首次购进两个超紫外光（euv）光刻工具。7lp的初始量产提升将依托传统的光刻方式，当具备批量生产条件时，将迁移至euv光刻技术。
引言： “我们很高兴看到格芯先进的7纳米工艺所带来的领先技术。amd与格芯的合作集中于创造高性能的产品，从而带来更沉浸式和更直观的计算体验。”
—— mark papermaster，amd高级副总裁兼首席技术官
“虽然晶体管结构并非技术成功的唯一重要因素，但仍然承担着极其关键的作用。这是7纳米芯片批量生产历程中的重要里程碑，证明了格芯的工艺流程已经成熟到足以开始进行真正的客户产品设计。同时，该公司已经在向5纳米及更精细的芯片市场迈进。目前世界上能驾驭此种领先创新技术的公司屈指可数，格芯无疑是这个精英团队中的重要一员。”
—— patrick moorhead，moor insights & strategy公司总裁兼首席分析师
“格芯不断展现了美国在前沿技术领域中的领先地位，如果能继续在7纳米芯片的研究中进步，格芯将成为第一个跨过该领域全部技术节点的公司。在过去，有很多人还没有走到格芯今天的这一步，便失败了。这是从摩尔定律中汲取价值而产生的一种全新战略方式，在艰难绕过10纳米领域后，格芯发力攻克7纳米领域。其他公司则是把资源分散，来进行半程或四分之一节点处的研发。”
—— dan hutcheson，vlsi research公司总裁兼董事长
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