EPFL工程团队开发新型计算机芯片：具备处理和存储数据的能力
洛桑联邦理工学院（epfl）的工程团队近日开发出了一种新型计算机芯片，可在相同电路中处理和存储数据。团队使用了名为二硫化钼（mos2）的二维材料，能够让电子产品更小、更节能。
在传统计算机中，通常会在一个区域（cpu）处理数据，然后在将数据传递到另一个区域（例如硬盘和固态硬盘）进行存储。这种模式已经为我们服务了数十年，但这并不一定是最有效的处理方式。
例如在人类大脑（世界上最强大的计算机）中，神经元就具备处理和存储信息的能力。工程师试图模仿此功能，创建具有内存中逻辑架构的芯片，有时也称为“忆阻器”。这个想法是，无需大量传送数据，我们可以制造更小更快的设备，消耗更少的能量。
而 epfl 的这项研究朝着这个目标迈出了新的一步。该团队的新型内存中逻辑芯片是第一种使用2d材料制成的芯片，该材料包括一层只有3个原子厚的mos2。这种材料的超薄厚度不仅非常适合缩小器件的尺寸，而且还可以制成出色的半导体。
新型芯片称之为浮栅场效应晶体管（fgfet），通常在闪存系统中使用，这些晶体管擅长长时间保持电荷。 mos2对这些存储的电荷特别敏感，从而使其能够执行逻辑和存储功能。
该研究的主要作者安德拉斯·基斯（andras kis）说：“我们的电路设计具有许多优势。它可以减少与在内存单元和处理器之间传输数据相关的能量损失，减少计算操作所需的时间，并减少所需的空间。这为更小，更强大和更节能的设备打开了大门”。
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而 epfl 的这项研究朝着这个目标迈出了新的一步。该团队的新型内存中逻辑芯片是第一种使用2d材料制成的芯片，该材料包括一层只有3个原子厚的mos2。这种材料的超薄厚度不仅非常适合缩小器件的尺寸，而且还可以制成出色的半导体。
新型芯片称之为浮栅场效应晶体管（fgfet），通常在闪存系统中使用，这些晶体管擅长长时间保持电荷。 mos2对这些存储的电荷特别敏感，从而使其能够执行逻辑和存储功能。
该研究的主要作者安德拉斯·基斯（andras kis）说：“我们的电路设计具有许多优势。它可以减少与在内存单元和处理器之间传输数据相关的能量损失，减少计算操作所需的时间，并减少所需的空间。这为更小，更强大和更节能的设备打开了大门”。
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