二极管的主要参数解读
二极管作为半导体器件，在电子电路应用中非常广泛，可以用于电源输入防反接，整流，多路信号选择，dcdc续流等等。
二极管的实质上就是一个pn结，具备pn结的单向导电性，也即施加正向电压时导通，施加反向电压时截止。该作用也使得二极管在电子电路应用中在某些场合被定义为开关，在存在二极管的电路中，当二极管导通时，视为短路，可用导线代替二极管，当二极管截止时，视为断路，可从电路抹去二极管分析电路。
对于二极管，需要根据不同的应用场合进行选择，在针对二极管进行选型时，需要针对性的考虑相关的参数。
二极管的主要参数为：正向导通电压，导通电流，反向击穿电压，反向漏电流，这几个参数在大多数场合都是需要考虑的。
正向导通电压与正向导通电流相关，流经二极管的电流越大，二极管的导通电压会变大。
反向击穿电压是能够施加在二极管两端反向电压的最大值，反向电压过大时，会击穿pn结。
反向漏电流即为在二极管上施加反向电流时的微小的漏电流，系因为pn结的少数载流子的漂移运动产生的。
对于二极管，我们另外需要考虑的参数是反向恢复时间，尤其是在开关电路中，需要着重考虑，以下针对二极管的反向恢复时间进行简约解释。
二极管的反向电流波形大概如下：
对于二极管的pn结，当施加正向电压时，受电场的影响，p区空穴移向n区，n区电子移向p区，势垒区逐渐减小。
此时pn结存在电流，也即二极管正向导通，随着空穴和电子的移动，移动到n区的空穴没有全部在n区被电子中和，会有一部分在n区漂移扩散，并在势垒区附近按梯度变化，同理，移动到p区的电子也有同样的现象，电流大时，没被中和的空穴和电子会更多。n区中的空穴和p区中的电子被称为非平衡少数载流子，非平衡少数载流子的分布现象被称为pn结的电荷存储效应。
当pn结突然从施加正向电压变成施加反向电压时，pn结两端电场发生变化，受电荷存储效应影响，p区和n区的非平衡少数载流子开始进行反向运动，p区的电子和n区的空穴在电场的作用下进行反向漂移运动，此时由于势垒区还比较小，因此形成反向电流，并且保持一小段时间不变，电子回到n区，空穴回到n区，形成多数载流子，少数载流子数量逐步减少，反向电流快速下降，且势垒区加大，pn结变成反向截止状态，电流只有极少部分少数载流子的漂移运动形成的漏电流。
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