相移全桥电路的功率转换效率提升
针对本系列文章的主题——转换效率,本文将会给出使用实际电源电路进行评估的结果。具体而言,本文对q1~q4的mosfet使用导通电阻约0.2ω的五种快速恢复型sj mosfet时的结果进行了比较。测试条件为输入电压in=390v、输出电压vout=12v、输出电流iout=10a~50a、开关频率fsw=100khz。
如图所示,结果显示r6020jnx(红色实线)在整个负载范围内效率最高。r6020jnx是最新一代的prestomos™,具有业内先进的高速trr和优化的寄生电容。
此外,与比较对象r6020fnx(相当于上一代产品)和其他mosfet相比,栅极阈值电压vgs(th)更高,这会使误导通导致的直通电流难以流过。通常,当vgs(th)高时,导通损耗会增加,但在psfb电路中,可以在轻负载时调整dead time,在重负载时利用zvs技术,来减少各自的导通损耗,因此,弱化了高vgs(th)带来的劣势。
从这些方面来看,可以说要想提高使用了sj mosfet的psfb电路的效率,选择trr尽可能小、开关特性优异的sj mosfet很重要。
关键要点: ・在sj mosfet的效率对比中,prestomos™是效率最好的。
・要想提高使用了sj mosfet的psfb电路的效率,重要的是要选择trr尽可能小、开关特性优异的sj mosfet。
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相移全桥电路的功率转换效率提升:效率的评估
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