中芯国际官方解释N+1工艺，预计第四季度有限量产
日前中芯国际联席ceo梁孟松博士首次公开了中芯国际n+1、n+2代工艺的情况，透露n+1工艺相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%，soc面积缩小55%，之后的n+2工艺性能和成本都更高一些。
业界普遍认为，中芯国际n+1工艺相当于台积电第一代7nm工艺，n+2则相当于台积电7nm+，重点在提升性能，年底即可量产。
今天，中芯国际相关人士详细解释了n+1工艺，也澄清了一些误会。
首先需要强调的是，n+1是中芯国际的内部代号，并不等于7nm。
据介绍，中芯国际n+1工艺在去年第四季度完成流片，目前正处于客户产品验证阶段，预计第四季度有限量产。
与市场上的7nm相比，中芯国际n+1在功耗、稳定性方面非常相似，唯一的区别就是性能，n+1的性能比14nm提高了约20%，但市场基准提升幅度是35%，所以有差距，但这也是唯一的差距。
如果是从功耗、稳定性方面而言，可以将中芯国际n+1称为7nm，而在性能方面确实要比7nm差。
中芯国际对n+1的目标是低成本应用，可以将成本相对市场上的7nm减少大约10%，因此是一个非常特殊的工艺节点。
从中芯国际的表态看，n+1更类似于台积电、三星的10nm，或者有点像三星的8nm，因为20%的性能提升幅度远低于台积电预计的30%、实际的35%。
至于n+2工艺，与市场7nm更为接近，尤其是稳定性，但是性能仍然略逊一筹。
另外随着台积电、三星陆续导入euv极紫外光刻，中芯国际也在加速推进，但是梁孟松曾明确表示，中芯国际无需euv就能达成7nm，当然后续的5nm、3nm是必须要有euv的。
其实，台积电第一代7nm也没有用euv而是继续传统duv，7nm+才有限导入euv，几十层光罩中只有几层使用。
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