碳化硅功率半导体工艺流程
第一部分，晶圆加工
首先，以高纯硅粉和高纯碳粉为原料生长sic，通过物理气相传输（pvt）制备单晶
第二，使用多线切割设备切割sic，晶体切成薄片，厚度不超过1毫米
第三，通过不同粒度的金刚石研磨液，将晶圆研磨至所需要的平整度和粗糙度。
第四，对sic晶圆进行机械抛光，和化学机械抛光，得到镜面sic抛光晶圆
第五，利用光学显微镜和仪器，检测sic晶圆的微管密度，表面粗糙度、电阻率、翘曲ttv，表面划痕等参数
第六，抛光后的sic晶圆用清洗剂，和纯水清洗，去除抛光液等表面污染物
第七，用超高纯氮气和干燥机，对晶圆进行吹气和干燥
第八，利用化学气象沉积等方法，在衬底上生成sic外延片，最后制作相关器件
第二部分 芯片加工环节
第一，注入掩膜。首先清洗晶圆，淀积一层氧化硅薄膜，接着通过匀胶、曝光、显影等工艺步骤形成光刻胶图形，最后通过刻蚀工艺将图形转移到刻蚀掩膜上。
第二，离子注入。将做好掩膜的晶圆放入离子注入机，注入高能离子。之后移除掩膜，进行退火以激活注入离子。
第三，制作栅极。在晶圆上依次淀积栅氧层、栅电极层形成门级控制结构。
第四，制作钝化层。淀积一层绝缘特性良好的电介质层，防止电极间击穿。
第五，制作漏源电极。在钝化层上开孔，并溅射金属形成漏源电极。
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