NMOS开关驱动电路原理图讲解
nmos开关驱动电路
注：
q5：一个nmos管。
r25/100r 的作用：防止振荡减少栅极充电的峰值电压，保护nmos管的d-s及不被击穿防止震荡，gpio口输出端可能有些杂散的电感，在电压突变的情况下，可能会产生lc振荡，当我们加入r25之后，会提高阻尼减少振荡。
减少栅极充电的峰值电压，当栅极的电压拉高，首先对栅极的寄生电容进行充电，i=q/t。充电的峰值电流可能大于gpio的输出能力，为了保护ic,添加r25之后，可能有效的增长充电的时间，进而减小充电时候的电流。
从导通到截止状态，vds电压迅速增加，如果dvds/dt过大，可能会烧坏器件，r17的存在可以让栅极电容缓慢放电，从而保护mos管。
r26 10k的作用：
下拉型抗干扰电阻，gpio输出状态下，在nmos端，可以看出mos端处于一个高阻态或者悬浮的一个状态，为了避免意外打开mos管，加上了个10k下拉。
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