集成氮化镓改变了传统的智慧吗
在氮化镓（gan）功率fet的早期阶段，故障很常见。更严格的栅极环路设计要求，更高的dv/dt和共源电感的影响使得电路对寄生和噪声更敏感。当ti推出第一个600v gan功率级样品时，我惊叹于该产品的可靠性和其自我保护功能的有效性。即使功率级已经通过严格的测试验证，我以前的硅器件经验让我对其在实际使用中的可靠性也感到好奇。更重要的是，这些功能会改变电路原型和调试的传统智慧吗？
在最近的交错式转换器设计中，我使用了两个具有一些基本直流总线设计的ti半桥lmg3410-hb-evm评估模块（evm），由ucd3138数字脉宽调制（pwm）控制器控制。当两个交错的半桥结合在一起时，我看到pwm信号反复受到高dv/dt（100v /ns）的影响，在480v引起击穿fet，触发集成过流保护（图1）。
与大多数fet——在这种情况下会失效——不同，lmg3410集成功率级使我能够在不发生损坏的情况下重复故障条件，快速调试到根本原因。这可能会非常辛苦的，而且传统器件可能会不安全。
图1：击穿事件之后功率级自动关闭（蓝色：上部fet pwm；黄色：下部fet pwm；绿色：电感器电流）
通过rdrv改变转换速率，我发现单相操作的50v/ns或100v/ns工作稳定，而使用两相操作的100v/ns则不然。根本原因是共模（cm）噪声污染和控制器外围电路的非优化布局，导致不同pwm通道之间的时钟同步不匹配（图2）。
图2：pwm不同步导致电感电流浪涌（蓝色：上部fet pwm；黄色：下部fet pwm；绿色：电感电流；红色：故障信号触发）
ti的iso7831数字信号隔离器提供了足够高的cm瞬态抗扰度（cmti）速率（>100v/ns），但隔离电源（通常具有高得多的cm电容）很容易以高dv/dt将噪声从开关节点电压耦合到控制侧（图3）。随着多个相位同时操作，更多的cm噪声会被注入到控制侧。
电源设计人员有时忽视了这个问题，因为硅器件和一些带有外部驱动器的gan fet不会实现这么高的转换速率。我成功地解决了这个问题，通过在上部fet的隔离电源上增加额外的cm扼流圈，改善了数字控制器的去耦环路，降低了控制器的接地弹跳和噪声耦合。由于lmg3410的集成保护功能，在整个调试过程中，尽管多次出现cm噪声引起的故障，我没有遇到任何灾难性故障。
图3：隔离电源和数字隔离器之间的cm电容
除了过流故障，过热事件是电源转换器中常见的情况。虽然有经验的工程师具有良好的散热设计技能，但保持器件结点的冷却仍然具有挑战性，而且没有太大的错误余地。随着时间的推移，风扇故障或散热器损坏等事件可能导致灾难性故障。‘幸运的是，lmg3410集成了过热保护，当我的风扇电源意外关闭时，lmg341就会起到保护作用。热脱扣点设置为165°c，为短暂的温度漂移留出足够的空间，但防止器件因与冷却相关的系统故障而遭受永久性损坏。
尽管gan在系统效率、尺寸和冷却方面具有优势，但其高开关速度和频率也呈现出越来越大的挑战。ti gan产品的保护和其他集成功能正在改变使用分立si mosfet了解高速开关转换器设计复杂性的传统智慧。这些产品不仅在我们调试新设计时保护器件免受永久性损坏，还通过防止长期工作时的栅极过应力来提高可靠性，因为集成驱动器设计减少了栅极振荡。
依据摩尔定律，全世界电子产品的尺寸已大幅降低，系统密度得到改善。由于gan技术的发展和推出易于使用的gan功率级（如具有自我保护功能的lmg3410），这一趋势现在将发展到电源电子产品。
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与大多数fet——在这种情况下会失效——不同，lmg3410集成功率级使我能够在不发生损坏的情况下重复故障条件，快速调试到根本原因。这可能会非常辛苦的，而且传统器件可能会不安全。
图1：击穿事件之后功率级自动关闭（蓝色：上部fet pwm；黄色：下部fet pwm；绿色：电感器电流）
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图2：pwm不同步导致电感电流浪涌（蓝色：上部fet pwm；黄色：下部fet pwm；绿色：电感电流；红色：故障信号触发）
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电源设计人员有时忽视了这个问题，因为硅器件和一些带有外部驱动器的gan fet不会实现这么高的转换速率。我成功地解决了这个问题，通过在上部fet的隔离电源上增加额外的cm扼流圈，改善了数字控制器的去耦环路，降低了控制器的接地弹跳和噪声耦合。由于lmg3410的集成保护功能，在整个调试过程中，尽管多次出现cm噪声引起的故障，我没有遇到任何灾难性故障。
图3：隔离电源和数字隔离器之间的cm电容
除了过流故障，过热事件是电源转换器中常见的情况。虽然有经验的工程师具有良好的散热设计技能，但保持器件结点的冷却仍然具有挑战性，而且没有太大的错误余地。随着时间的推移，风扇故障或散热器损坏等事件可能导致灾难性故障。‘幸运的是，lmg3410集成了过热保护，当我的风扇电源意外关闭时，lmg341就会起到保护作用。热脱扣点设置为165°c，为短暂的温度漂移留出足够的空间，但防止器件因与冷却相关的系统故障而遭受永久性损坏。
尽管gan在系统效率、尺寸和冷却方面具有优势，但其高开关速度和频率也呈现出越来越大的挑战。ti gan产品的保护和其他集成功能正在改变使用分立si mosfet了解高速开关转换器设计复杂性的传统智慧。这些产品不仅在我们调试新设计时保护器件免受永久性损坏，还通过防止长期工作时的栅极过应力来提高可靠性，因为集成驱动器设计减少了栅极振荡。
依据摩尔定律，全世界电子产品的尺寸已大幅降低，系统密度得到改善。由于gan技术的发展和推出易于使用的gan功率级（如具有自我保护功能的lmg3410），这一趋势现在将发展到电源电子产品。
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