mos管概念
mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。mos英文全称为金属-氧化物-半导体,描述了集成电路中的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。mos管的source和drain是可以对调的,都是在p型backgate中形成的n型区。
mos管工作原理
mos管的工作原理(以n沟道增强型mos场效应管)它是利用vgs来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的n区接通,形成了导电沟道,即使在vgs=0时也有较大的漏极电流id。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流id随着栅极电压的变化而变化。
mos管的性能参数
优质的mos管可以接受的电流峰值更高。普通状况下我们要判别主板上mos管的质量上下,能够看它能接受的最大电流值。影响mos管质量上下的参数十分多,像极端电流、极端电压等。但在mos管上无法标注这么多参数,所以在mos管外表普通只标注了产品的型号,我们能够依据该型号上网查找详细的性能参数。还要阐明的是,温度也是mos管一个十分重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于cpu频率的进步,mos管需求接受的电流也随着加强,提供近百a的电流曾经很常见了。如此宏大的电流经过时产生的热量当然使mos管“发烧”了。为了mos管的平安,高质量主板也开端为mos管加装散热片了。
mos管三个引脚怎么区分
g极,不用说比较好认。
s极,不论是p沟道还是n沟道,两根线相交的就是;
d极,不论是p沟道还是n沟道,是单独引线的那边。
判定栅极g:将万用表拨至r×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻。若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极。漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为n沟道;若两次测得的阻值都很小,则为p沟道。
判定源极s、漏极d:在源-漏之间有一个pn结,因此根据pn结正、反向电阻存在差异,可识别s极与d极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是s极,红表笔接d极。
mos管如何快速判断与好坏及引脚性能
1、用10k档,内有15伏电池。可提供导通电压。
2、因为栅极等效于电容,与任何脚不通,不论n管或p管都很容易找出栅极来,否则是坏管。
3、利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,且由于栅极上电荷能保持,上述两步可分先后,不必同步,方便。但要放电时需短路管脚或反充。
4、大都源漏间有反并二极管,应注意,及帮助判断。
5、大都封庄为字面对自已时,左栅中漏右源。以上前三点必需掌握,后两点灵活运用,很快就能判管脚,分好坏。
如果对新拿到的不明mos管,可以通过测定来判断脚极,只有准确判定脚的排列,才能正确使用。
管脚测定方法:
①栅极g的测定:用万用表r×100档,测任意两脚之间正反向电阻,若其中某次测得电阻为数百ω),该两脚是d、s,第三脚为g。
②漏极d、源极s及类型判定:用万用表r×10kω档测d、s问正反向电阻,正向电阻约为0.2×10kω,反向电阻(5一∞)x100kω。在测反向电阻时,红表笔不动,黑表笔脱离引脚后,与g碰一下,然后回去再接原引脚,出现两种情况:
a.若读数由原来较大值变为0(0×10kω),则红表笔所接为s,黑表笔为d。用黑表笔接触g有效,使mos管d、s间正反向电阻值均为0ω,还可证明该管为n沟道。
b.若读数仍为较大值,黑表笔不动,改用红表笔接触g,碰一下之后立即回到原脚,此时若读数为0ω,则黑表笔接的是s极、红表笔为d极,用红表笔接触g极有效,该mos管为p沟道。
mos管的发热情况有:
1.电路设计的问题,就是让mos管工作在线性的工作状态,而不是在开关电路状态。这也是导致mos管发热的一个原因。如果n-mos做开关,g级电压要比电源高几v,才能完全导通,p-mos则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以u*i也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。
2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,mos管上的损耗增大了,所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计,电流太高,mos管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以id小于最大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
4.mos管的选型有误,对功率判断有误,mos管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。
mos管作用
mos管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
在一般电子电路中,通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中,mosfet扮演的角色主要是判断电位,它在主板上常用“q”加数字表示。
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