京东方公司Micro-LED的转移方法,可广泛应用于显示领域
5g技术的革新带动了手机面板产业的发展，其高传输速率与低延迟特性开创了手机在ar等其他领域的应用，因此对高刷新频率面板提出了需求，带动了micro-led（微型发光二极管）的发展。
相对于现有的oled或lcd，micro-led显示器具有像素独立控制、自发光、亮度高、色域广、性能稳定及寿命长等优势，搭配巨量转移技术可以结合不同的显示背板，创造出透明、投影、弯曲、柔性等显示效果，未来很有可能在显示器产业领域创造新的市场，是非常具有潜力的下一代新型显示技术。然而当前micro-led显示器在制作过程中存在诸多难题，比如怎样将微小化、高密度、阵列化的led晶粒转移到电路基板上，这很大程度制约了micro-led显示的大规模商业化应用。正是基于这种情况，作为国内知名显示器企业的京东方公司，提出了一种micro-led的转移方法。
早在19年6月10日，京东方公司便申请了一项名为“一种micro-led的转移方法”的发明专利（申请号：201910497258.x），申请人为京东方科技集团股份有限公司。
此专利介绍了一种micro-led的转移方法，可以实现led晶粒的转移，同时降低或消除led晶粒与目标基板之间的断差，可广泛应用于显示领域。
为此专利提出的micro-led的转移方法流程图。首先提供一个供体基板，包括承载基板与在上面阵列排布的led晶粒，其中100表示承载基板，101表示micro-led晶粒，相对于尺寸为毫米级别的普通led晶粒，micro-led的尺寸为微米级，因此处理工艺的难度也更高。在图1的s100步骤中，需要将led晶粒排布在供体基板上。首先应在衬底基板上依次生长n型半导体层、发光层、p型半导体层，之后，对其进行刻蚀形成多个层叠的n型或p型半导体图案、发光图案以及正负电极，从而形成多个led晶粒，并确保他们互不连接。
101步骤提供一个粘贴基板，包括底板以及覆盖在上面的热熔胶膜，如图3所示，200表示底板，201表示热熔胶图案，目的是当粘贴基板与供体基板正对时，应确保每一个led晶粒能与热熔胶图案2011对应，以高效的进行晶粒转移。在进行图1中的s102步骤时，将粘贴基板20移动至供体基板10的上方，并向靠近供体基板10的方向移动粘贴基板20，利用粘贴基板20粘贴承载基板100上的led晶粒101，以使led晶粒101与承载基板100分离。s103步骤表示将粘贴有多个led晶粒的粘贴基板移动到目标基板（如电路基板）上方，并使得led晶粒与目标基板的相对应位置完全正对，以使得led晶粒与电路基板上的驱动电极对进行电气连接。
s104过程表示micro-led晶粒转移过程，其中30表示目标基板。将粘贴有多个led晶粒的粘贴基板加热至第 一温度（大于热熔胶膜的融化温度），以使热熔胶膜201熔化，led晶粒与粘贴基板分离，由于晶粒位置与目标基板上预设位置正对，因此分离后的led晶粒会转移到目标基板上。
可以看出led晶粒与目标基板存在断差h，而断差对显示和发光效果均有很大影响，而本专利提出的方式可以使得融化的热熔胶膜流入led晶粒的间隙中，从而减小led晶粒与目标基板之间的断差。而现有技术普遍采用逐个吸取、压合led晶粒的方式，将巨量led晶粒诸葛转移到目标基板上，由于led晶粒数量非常多，因此转移难度非常大，导致了过高的成本，此专利提出的转移方式可以同时对多个led晶粒101进行转移，因而简化了巨量led晶粒的转移难度，同时改善了断差对显示与发光效果的影响。
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早在19年6月10日，京东方公司便申请了一项名为“一种micro-led的转移方法”的发明专利（申请号：201910497258.x），申请人为京东方科技集团股份有限公司。
此专利介绍了一种micro-led的转移方法，可以实现led晶粒的转移，同时降低或消除led晶粒与目标基板之间的断差，可广泛应用于显示领域。
为此专利提出的micro-led的转移方法流程图。首先提供一个供体基板，包括承载基板与在上面阵列排布的led晶粒，其中100表示承载基板，101表示micro-led晶粒，相对于尺寸为毫米级别的普通led晶粒，micro-led的尺寸为微米级，因此处理工艺的难度也更高。在图1的s100步骤中，需要将led晶粒排布在供体基板上。首先应在衬底基板上依次生长n型半导体层、发光层、p型半导体层，之后，对其进行刻蚀形成多个层叠的n型或p型半导体图案、发光图案以及正负电极，从而形成多个led晶粒，并确保他们互不连接。
101步骤提供一个粘贴基板，包括底板以及覆盖在上面的热熔胶膜，如图3所示，200表示底板，201表示热熔胶图案，目的是当粘贴基板与供体基板正对时，应确保每一个led晶粒能与热熔胶图案2011对应，以高效的进行晶粒转移。在进行图1中的s102步骤时，将粘贴基板20移动至供体基板10的上方，并向靠近供体基板10的方向移动粘贴基板20，利用粘贴基板20粘贴承载基板100上的led晶粒101，以使led晶粒101与承载基板100分离。s103步骤表示将粘贴有多个led晶粒的粘贴基板移动到目标基板（如电路基板）上方，并使得led晶粒与目标基板的相对应位置完全正对，以使得led晶粒与电路基板上的驱动电极对进行电气连接。
s104过程表示micro-led晶粒转移过程，其中30表示目标基板。将粘贴有多个led晶粒的粘贴基板加热至第 一温度（大于热熔胶膜的融化温度），以使热熔胶膜201熔化，led晶粒与粘贴基板分离，由于晶粒位置与目标基板上预设位置正对，因此分离后的led晶粒会转移到目标基板上。
可以看出led晶粒与目标基板存在断差h，而断差对显示和发光效果均有很大影响，而本专利提出的方式可以使得融化的热熔胶膜流入led晶粒的间隙中，从而减小led晶粒与目标基板之间的断差。而现有技术普遍采用逐个吸取、压合led晶粒的方式，将巨量led晶粒诸葛转移到目标基板上，由于led晶粒数量非常多，因此转移难度非常大，导致了过高的成本，此专利提出的转移方式可以同时对多个led晶粒101进行转移，因而简化了巨量led晶粒的转移难度，同时改善了断差对显示与发光效果的影响。
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