英特尔新处理器曝光，先进技术为Intel 7制程
英特尔量产的最先进技术为intel 7制程，比前一代intel 10的superfin制程的每瓦效能提升约10%-15%。
近日，英特尔在马来西亚封测厂举行了一场参访团活动，这是该厂区近51年来首度开放媒体参观槟城与居林厂区，过程中也让今年下半年稍晚才要正式发表、首款采用intel 4制程的处理器，在生产线的实际运作情形得以首次曝光。
这意味该芯片已进入最后准备阶段，也显示英特尔要在4年内推进5个制程节点的计划又往前迈出一大步。
英特尔在全球共有10个生产据点，这次邀请全球上百名媒体与分析师参访在槟城的组装测试厂、故障分析实验室、验证实验室，以及位于居林的晶圆处理加工厂，还有测试设备制造厂。
在槟城厂区的组装测试厂中，外界得以亲眼直击英特尔下半年稍晚才要登场的meteor lake处理器，采用4个小芯片合并而成，已经在生产线上进行最后的组装测试。
目前，英特尔量产的最先进技术为intel 7制程，比前一代intel 10的superfin制程的每瓦效能提升约10%-15%，而meteor lake采用intel 4制程生产，导入了极紫外光（euv）光刻技术，此制程标榜可让产品的每瓦效能又提升约20%。后续该公司还要持续推进到intel 3制程，预计今年下半年可准备量产，intel 20a与18a制程则规划分别于明年上、下半年进入准备量产阶段。
建新厂冲先进封装
英特尔正在马来西亚槟城兴新建封装厂，强化2.5d/3d封装布局版图，到2025年，旗下最先进的3d foveros封装产能将开放给客户使用。
外界预期，英特尔结合先进制程与先进封装能量后，“一条龙生产”实力大增，在晶圆代工领域更具竞争力，与台积电、三星等劲敌再次杠上。
同时，英特尔自家先进封装能力更壮大，并喊话开放让客户只选用其先进封装方案后，预料也会掀起封测市场骚动，须密切关注对日月光、安靠等osat封测厂的冲击。
台积电、三星都积极布建先进封装技术。台积电方面，主打3d fabric先进封装，包括info、cowos与soic方案; 三星也发展i-cube、x-cube等封装技术。
英特尔不落人后，其先进封装包括2.5d emib与3d foveros方案。半导体三雄的竞争态势从晶圆代工领域，一路延伸至先进封装。
英特尔从2017年开始导入emib封装，第一代foveros封装则于2019年推出，当时凸点间距为50微米。预计今年下半年稍晚推出的最新meteor lake处理器，则将利用第二代foveros封装技术，凸点间距进一步缩小为36微米。
英特尔并未透露现阶段其3d foveros封装总产能，仅强调除了在美国奥勒冈州与新墨西哥州之外，在未来的槟城新厂也有相关产能建置，这三个据点的3d封装产能合计将于2025年时增为目前的4倍。
英特尔副总裁robin martin 在22日受访时强调，未来槟城新厂将会成为英特尔最大的3d foveros先进封装据点。
两年前，英特尔宣布投资35亿美元扩充新墨西哥州的先进封装产能，至今仍进行中。至于槟城新厂，该公司表示，兴建进度符合计划，外界预估，该新厂可能于2024年稍晚或2025年完工运作。
值得注意的是，除了晶圆代工与一条龙延伸到封装服务，英特尔表示，开放让客户也可以只选用其先进封装方案，目的是希望让客户可以更能拥有生产弹性。
英特尔在ceo基辛格带领下，推行idm 2.0策略，除了增加自家晶圆厂产能，扩大晶圆代工业务，同时也希望弹性利用第三方的晶圆代工产能。
随着先进制程演进，小芯片（chiplet）与异质整合的发展趋势明确，外界认为，英特尔的2.5d/3d先进封装布局除了强化自身处理器等产品实力之外，也是其未来对客户争取更多晶圆代工服务生意的一大卖点。
目前，几大晶圆厂积极布局先进封装，由于芯片堆叠层数大增，带动abf载板需求倍增。
业界分析，目前各大厂喊出的3d先进封装实际仍需要2.5d封装制程的载板乘载，而且良率仍低，若有出海口且大厂积极导入多元应用，未来载板需求增长可期。
遭到市场点名的厂商一贯不评论单一客户信息。产业界分别提到，先前3d封装概念首度推出时，不少人都认为未来不需要载板，因为可由晶圆厂直接3d堆叠做完全套制程，但实际在终端应用上仅少数装置产品可采用，这是因为3d封装成本较高，需要量大且真正有产品的出海口才能降低成本。
业界分析，从目前abf载板最大需求应用在高速运算来看，尚未全数使用3d封装，仅在部分芯片内存做3d封装。产业界提到，当前3d封装其实仍是2.5d技术加上部分3d，中端尚未能全面实现仅3d封装而不需2.5d封装，而2.5d相关先进封装正是载板厂商机所在。
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这意味该芯片已进入最后准备阶段，也显示英特尔要在4年内推进5个制程节点的计划又往前迈出一大步。
英特尔在全球共有10个生产据点，这次邀请全球上百名媒体与分析师参访在槟城的组装测试厂、故障分析实验室、验证实验室，以及位于居林的晶圆处理加工厂，还有测试设备制造厂。
在槟城厂区的组装测试厂中，外界得以亲眼直击英特尔下半年稍晚才要登场的meteor lake处理器，采用4个小芯片合并而成，已经在生产线上进行最后的组装测试。
目前，英特尔量产的最先进技术为intel 7制程，比前一代intel 10的superfin制程的每瓦效能提升约10%-15%，而meteor lake采用intel 4制程生产，导入了极紫外光（euv）光刻技术，此制程标榜可让产品的每瓦效能又提升约20%。后续该公司还要持续推进到intel 3制程，预计今年下半年可准备量产，intel 20a与18a制程则规划分别于明年上、下半年进入准备量产阶段。
建新厂冲先进封装
英特尔正在马来西亚槟城兴新建封装厂，强化2.5d/3d封装布局版图，到2025年，旗下最先进的3d foveros封装产能将开放给客户使用。
外界预期，英特尔结合先进制程与先进封装能量后，“一条龙生产”实力大增，在晶圆代工领域更具竞争力，与台积电、三星等劲敌再次杠上。
同时，英特尔自家先进封装能力更壮大，并喊话开放让客户只选用其先进封装方案后，预料也会掀起封测市场骚动，须密切关注对日月光、安靠等osat封测厂的冲击。
台积电、三星都积极布建先进封装技术。台积电方面，主打3d fabric先进封装，包括info、cowos与soic方案; 三星也发展i-cube、x-cube等封装技术。
英特尔不落人后，其先进封装包括2.5d emib与3d foveros方案。半导体三雄的竞争态势从晶圆代工领域，一路延伸至先进封装。
英特尔从2017年开始导入emib封装，第一代foveros封装则于2019年推出，当时凸点间距为50微米。预计今年下半年稍晚推出的最新meteor lake处理器，则将利用第二代foveros封装技术，凸点间距进一步缩小为36微米。
英特尔并未透露现阶段其3d foveros封装总产能，仅强调除了在美国奥勒冈州与新墨西哥州之外，在未来的槟城新厂也有相关产能建置，这三个据点的3d封装产能合计将于2025年时增为目前的4倍。
英特尔副总裁robin martin 在22日受访时强调，未来槟城新厂将会成为英特尔最大的3d foveros先进封装据点。
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