常见LED芯片的特点分析
一、mb 芯片
定义：metal bonding （金属粘着）芯片；该芯片属于uec 的专利产品。
特点：
1：采用高散热系数的材料---si 作为衬底、散热容易。
2：通过金属层来接合（wafer bonding）磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
3: 导电的si 衬底取代gaas 衬底，具备良好的热传导能力（导热系数相差3~4 倍），更适应于高驱动电流领域。
4: 底部金属反射层、有利于光度的提升及散热
5: 尺寸可加大、应用于high power 领域、eg : 42mil mb
二、gb芯片
定义：glue bonding （粘着结合）芯片；该芯片属于uec 的专利产品
特点：
1：透明的蓝宝石衬底取代吸光的gaas衬底、其出光功率是传统as （absorbable structure）芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似ts芯片的gap衬底。
2：芯片四面发光、具有出色的pattern
3：亮度方面、其整体亮度已超过ts芯片的水准（8.6mil）
4：双电极结构、其耐高电流方面要稍差于ts单电极芯片
三、ts芯片
定义：transparent structure（透明衬底）芯片、该芯片属于hp 的专利产品。
特点：
1：芯片工艺制作复杂、远高于as led
2：信赖性卓越
3：透明的gap衬底、不吸收光、亮度高
4：应用广泛
四、as芯片
定义：absorbable structure （吸收衬底）芯片；
经过近四十年的发展努力、***led光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段、各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水准、差距不大。
大陆芯片制造业起步较晚、其亮度及可靠度与***业界还有一定的差距、在这里我们所谈的as芯片、特指uec的as芯片、eg: 712sol-vr, 709sol-vr, 712sym-vr,709sym-vr 等
特点：
1：四元芯片、采用 movpe工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮
2：信赖性优良
3：应用广泛
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4: 底部金属反射层、有利于光度的提升及散热
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特点：
1：透明的蓝宝石衬底取代吸光的gaas衬底、其出光功率是传统as （absorbable structure）芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似ts芯片的gap衬底。
2：芯片四面发光、具有出色的pattern
3：亮度方面、其整体亮度已超过ts芯片的水准（8.6mil）
4：双电极结构、其耐高电流方面要稍差于ts单电极芯片
三、ts芯片
定义：transparent structure（透明衬底）芯片、该芯片属于hp 的专利产品。
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2：信赖性卓越
3：透明的gap衬底、不吸收光、亮度高
4：应用广泛
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特点：
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2：信赖性优良
3：应用广泛
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