联华电子宣佈,推出新一代80奈米小尺寸萤幕驱动晶片(sddi)製程,此製程特色在于具备了晶圆专工业界最富竞争力的sram储存单元。此低耗电的尖端sram解决方案採用了先进的设计规则,以缩小储存单元尺寸到0.714平方微米,将比现有80奈米sddi製程中使用的一般0.81平方微米更加微缩许多,使智慧型手机得以更小晶片尺寸实现hd720/wxga高画质。此製程现已準备量产,并与数家主要客户针对hd720/wxga画质的智慧型手机产品合作中。
联华电子12吋特殊技术开发处许尧凯资深处长表示,“随着现在智慧型手机的快速兴起,联华电子已在特殊技术开发上位居领先者地位,使我们的客户能够持续推陈出新,推动功能更强的产品问世。联华电子现有的80奈米与即将推出的55奈米sddi製程,可协助现有或新的客户,推出耗电更低且画质更高的尖端智慧型手机萤幕驱动晶片。”
联华电子已于0.13微米製程平台出货逾3亿颗sddi晶片,运用于wvga与qhd画质的主流智慧型手机,而此次推出的新一代80奈米製程,延续且稳固了联华电子在全球sddi晶圆专工领域的领导者地位。除了0.13微米与80奈米sddi製程技术之外,联华电子也针对了配备full-hd萤幕的次世代智慧型手机,推出业界第一个55奈米sddi製程,将于本季开放接受客户sddi晶片设计开发使用。
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